型号:

US6K4TR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:TUMT6
批次:2年内
包装:编带
重量:0.027g
其他:
US6K4TR 产品实物图片
US6K4TR 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1W 20V 1.5A 2个N沟道 TUMT-6
库存数量
库存:
30000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.819
200+
0.565
1500+
0.514
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@0.8A
功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)300mV@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)110pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF
工作温度-40℃~+150℃

产品概述:US6K4TR - ROHM 1W 20V 1.5A N通道MOSFET

一、产品简介

US6K4TR是一款由ROHM(罗姆)公司制造的高性能场效应管(MOSFET),其封装类型为TUMT6,专为高效能应用设计。该MOSFET在开启状态下提供低导通电阻,使其在小型电子设备中的应用如开关电源、马达驱动、以及其他需要高频率开关的电路中表现卓越。US6K4TR是一款双N通道FET,具备出色的电气性能和优势,使其成为众多电子设计中不可或缺的组件。

二、关键参数

  1. 电气特性

    • 导通电阻(Rds(on)):在Vgs=4.5V和Id=1.5A时,最大导通电阻为180毫欧,确保了低功耗和高效能的要求。
    • 漏源电压(Vdss):能够承受的最大漏源电压为20V,适合多种低压应用场景。
    • 连续漏极电流(Id):在额定条件下,最大可持续电流为1.5A,适合中等负载应用。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th)):在1mA时的最大栅极阈值电压为1V,表明该器件在低电压下依然能够快速开启,提高电路响应速度。
  2. 输入和驱动特性

    • 输入电容(Ciss):在10V时,最大输入电容为110pF,表明该FET在高频操作时的适应能力,降低了驱动损耗。
    • 栅极电荷(Qg):在Vgs=4.5V时的栅极电荷最大值为2.5nC,优良的栅极驱动特性使其适应于快速开关应用。
  3. 温度耐受性

    • 工作温度范围:US6K4TR的工作温度可达150°C(TJ),适合高温环境下的长期稳定运行,特别是在汽车电子或工业控制等要求严苛的应用中。
  4. 功率特性

    • 功率最大值:该MOSFET能够处理的最大功率为1W,适合低功耗和高效能的电路设计。

三、应用领域

US6K4TR广泛应用于各类电子产品中,包括但不限于:

  • 开关电源:在逆变器及DC-DC转换器中,用作开关元件,提供高效的能量转换。
  • 马达驱动:适用于小型直流电动机的控制,能够快速响应马达负载变化,提升效率。
  • LED驱动:在LED照明设计中,该MOSFET可控制LED亮度,同时降低散热问题。
  • 电池管理系统:在电池充电与放电过程控制中,提供快速而稳定的开关能力。

四、产品优势

  1. 高效能:最低的导通电阻减少了功耗,提升了系统的整体能效。
  2. 快速响应:较低的栅极电荷帮助实现更快的开关速度,适用于高频应用。
  3. 耐高温:高达150°C的工作温度使其适应环境变化,保证长久稳定使用。
  4. 紧凑封装:TUMT6封装设计使其适合现代小型化电子产品。

五、总结

US6K4TR MOSFET是ROHM公司推出的一款具备卓越性能的小型N通道场效应管,凭借其低导通电阻、高温耐受性及灵活的应用前景,广泛适用于各类现代电子设备。对于设计师而言,选择US6K4TR不仅有助于提高产品效率和稳定性,同时也在一定程度上降低了设计复杂度及元器件数量,是优良的解决方案。无论是在消费电子、工业应用还是汽车电子领域,US6K4TR都是实现高性能电路设计的理想选择。