型号:

IRF7495TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SO-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.275g
其他:
IRF7495TRPBF 产品实物图片
IRF7495TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 7.3A 1个N沟道 SOIC-8
库存数量
库存:
4000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.98
100+
3.31
1000+
3.06
2000+
2.92
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)22mΩ@10V,4.4A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)51nC
输入电容(Ciss@Vds)1.53nF
反向传输电容(Crss@Vds)110pF
工作温度-55℃~+150℃

产品概述: IRF7495TRPBF

IRF7495TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该器件的设计旨在满足广泛的功率管理应用需求,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他需要高效电流开关的电子设备。以下是对 IRF7495TRPBF 的详细介绍。

基本参数

IRF7495TRPBF 的关键参数包括:

  • 漏源电压(Vdss): 该器件可承受高达 100V 的漏源电压,使其能够在高压应用中稳定工作。
  • 连续漏极电流(Id): 在环境温度 25°C 下,IRF7495TRPBF 的最大连续漏极电流为 7.3A,这使其适合中等功率的应用。
  • 驱动电压: 此器件的驱动电压范围允许应用最大 10V 的栅源电压以获得最低的导通电阻。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅源电压下,IRF7495TRPBF 在 4.4A 时的最大导通电阻仅为 22 毫欧。这一特性在功率损耗和热管理方面极大地提升了效率。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为 4V,确保器件可以在较低电压条件下稳定工作。
  • 输入电容(Ciss): 在 25V 的条件下,其输入电容最大为 1530pF,提供了良好的开关响应。
  • 栅极电荷(Qg): 在 10V 时,最大栅极电荷为 51nC,适用于高速开关应用。
  • 功率耗散: IRF7495TRPBF 的最大功率耗散为 2.5W(在环境温度下),这为其散热设计提供了灵活的空间。
  • 工作温度范围: 器件可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作,适用于各种工业和军事应用。
  • 封装类型: 该器件采用 SO-8 表面贴装式封装,易于自动化焊接且优化的尺寸设计适合空间受限的应用。

应用场景

IRF7495TRPBF 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源(SMPS): 由于其高效率和低导通损耗,IRF7495TRPBF 是开关电源设计中的理想选择。
  2. DC-DC 转换器: 在各种功率转换方案中,该 MOSFET 可用于提升和降压转换器中,确保高效转换过程。
  3. 电机驱动: 在低到中等功率电机控制应用中,其优异的热特性和快速开关能力使电机驱动和调速成为可能。
  4. 电池管理系统: 随着电池技术的不断发展,IRF7495TRPBF 可用于高效的充放电控制,有助于延长电池寿命和性能。
  5. 消费电子: 其小型化设计也使其适用于各种消费电子产品中,满足现代设备对效率和小型化的要求。

结论

总之,IRF7495TRPBF 是一款经过优化的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性、广泛的应用范围和可靠的工作性能,成为当前电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在高效能的电源管理系统中,还是在高温、高压条件下的复杂电子控制系统中,IRF7495TRPBF 都能够提供卓越的可靠性和性能。

对于设计工程师而言,选用 IRF7495TRPBF 将为其电路设计提供强大的支持,确保系统在各个条件下高效、安全地运行。