型号:

IMT1AT110

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SMT6
批次:22+
包装:编带
重量:0.032g
其他:
IMT1AT110 产品实物图片
IMT1AT110 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 50V 150mA PNP SOT-457
库存数量
库存:
152
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.391
200+
0.253
1500+
0.219
3000+
0.194
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@1mA,6V
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃

IMT1AT110 产品概述

一、基本介绍

IMT1AT110 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),由著名的半导体制造商ROHM(罗姆)推出,采用表面贴装(SMT)封装,便于自动化生产和应用。这款晶体管主要用于开关和放大应用,凭借其优良的电性能,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。

二、产品规格

IMT1AT110 的关键技术规格包括:

  • 晶体管类型:PNP(双极型晶体管)
  • 集电极电流(Ic)最大值:150mA
  • 集射极击穿电压(Vceo)最大值:50V
  • 饱和压降(Vce(sat)):在Ib为5mA和50mA时,Vce的饱和压降最大值为500mV,这表明当晶体管处于饱和状态时,其输出将保持较低的电压损耗,从而提升能效。
  • 集电极截止电流(ICBO)最大值:100nA,这表示该器件在关断状态下表现出极低的漏电流,有助于提高整体电路的稳定性。
  • DC电流增益(hFE)最小值:在Ic为1mA和Vce为6V时,增益可达120,显示出其在信号放大应用中的优异性能。
  • 功率最大值:300mW,适合在中等功率条件下工作。
  • 频率特性:工作频率高达140MHz,适合用于高频信号处理应用。
  • 工作温度范围:可承受最高150°C的结温,使其适用于高温环境下的应用。

三、封装与安装

IMT1AT110采用SMT6封装,尺寸为SC-74/SOT-457,非常适合现代电子设备的小型化设计。表面贴装型的设计使得它能够通过自动化机器简便地进行焊接,降低生产成本并提高生产效率。此外,SMT封装有助于热量的散发,从而提高器件的可靠性,延长使用寿命。

四、应用场景

IMT1AT110凭借其出色的性能,广泛应用于各种电子电路中:

  1. 信号放大:凭借较高的增益,IMT1AT110可用于音频放大器、无线电接收器等产品中,以增强输入信号的强度。
  2. 电子开关:由于其低饱和压降特性,该器件在需要快速开关的应用中非常理想,如电机驱动,LED驱动等。
  3. 自动化控制设备:在工业控制中,可以作开关或电源管理,以实现高效的能量使用。
  4. 消费类电子:可用于音响设备、手机充电器、电视机等众多消费类电子产品中。

五、总结

IMT1AT110以其稳定的性能、高频特性和优良的能效,成为市场上非常有优势的PNP型晶体管解决方案。无论是在新设计还是在现有产品的升级中,IMT1AT110都将是实现高性能电子系统所需的重要组件。ROHM作为全球领先的半导体制造商,凭借其强大的研发能力和严格的质量控制,确保了IMT1AT110的高可靠性和优异性能,使其能够满足现代电子设备不断增长的性能需求。对于设计工程师而言,选择IMT1AT110无疑是您产品设计中的明智之举。