型号：
DMT3004LFG-7
品牌：DIODES(美台)
封装：PowerDI3333-8
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
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产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.4A（Ta），25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）44nC @ 10V
Vgs（最大值）+20V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2370pF @ 15V
功率耗散（最大值）2.1W（Ta），42W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerDI3333-8
封装/外壳8-PowerVDFN
DMT3004LFG-7 产品概述
1. 产品简介
DMT3004LFG-7 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，专为高效率开关电源和功率管理应用而设计。其突出的电气特性和优越的散热性能，使其成为现代电子设计中理想的选择，特别是在需要高电流和高效能的场合。
2. 主要规格
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 工作电流：
- 25°C 时连续漏极电流 (Id)：10.4A（在环境温度下），25A（在晶体管温度下）
- 驱动电压：支持 4.5V 和 10V 两种驱动电压以实现最佳导通电阻
- 导通电阻 (Rds On)：
- 最大值：4.5 毫欧 @ 20A, 10V
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大值 3V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：最大值 44nC @ 10V
- 栅源电压 (Vgs)：最大值 +20V，最小值 -16V
- 输入电容 (Ciss)：最大值 2370pF @ 15V
- 功率耗散：
- 在环境温度下：最大值 2.1W
- 在晶体管温度下：最大值 42W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：8-PowerVDFN
- 安装类型：表面贴装型
3. 应用领域
DMT3004LFG-7 的设计使其特别适合于以下应用：
- 开关电源：由于其较低的导通电阻和高电流承载能力，非常适合用作 DC-DC 转换器中的开关元件。
- 电动车和混合动力车：支持高充电和放电电流，非常适合电动和混合动力汽车的动力管理系统。
- 电源管理 IC：在高效电源管理解决方案中，作为功率开关，DMT3004LFG-7 可以有效降低功率损耗。
- 用于电池管理和充电电路：其宽广的工作温度范围使其在严苛环境下也能保持稳定的性能。
- 家电控制系统：在智能家居和传统家电中，作为控制电路的关键元件。
4. 性能优势
DMT3004LFG-7 的设计提供了以下几项显著优势：
- 卓越的导通能力：超低的 Rds On 确保了更小的功耗和更高的效率，特别是在高电流应用中。
- 宽工作温度范围：提供从 -55°C 到 150°C 的工作能力，适应极端气候环境，保障设备的可靠性。
- 良好的散热性能：在设计中考虑了功率损耗的影响，确保高于 42W 的功率耗散能力，有效减少过热问题。
- 高可靠性：采用高质量材料和先进技术，DMT3004LFG-7 提供稳定的性能，能够满足各种工业和消费类应用的需求。
5. 结论
DMT3004LFG-7 是一款先进的 N 通道 MOSFET，结合了高电流处理能力和低功耗特性，是开关电源及功率管理系统的理想选择。其出色的电气性能、宽广的温度范围及可靠性，确保了产品在各种应用中的稳定性。同时，其小型封装设计也方便了在现代高密度电子设备中的集成。无论是在汽车、消费电子还是工业控制系统中，DMT3004LFG-7 都能展现出卓越的性能表现，推动更高效、更可靠的电子产品创新。