型号:

STP270N8F7

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
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STP270N8F7 一小时发货
描述:N-通道-80V-180A(Tc)-TO-220
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5mΩ@90A,10V
功率(Pd)315W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)193nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)13.6nF@50V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STP270N8F7 产品概述

STP270N8F7 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO-220-3 封装,具备 80V 的漏源电压(Vdss)和高达 180A 的连续漏极电流(Id)能力。此 MOSFET 设计旨在满足高功率应用对于效率、热性能与可靠性的严格要求,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种自动化设备。

主要特性

  1. 高漏源电压: STP270N8F7 具有 80V 的漏源电压(Vdss),使它能够在大多数高压应用中发挥重要作用,是多种电源管理和转换电路中的理想选择。

  2. 高电流承载能力: 在热管理良好的情况下,STP270N8F7 能够支持高达 180A 的连续漏极电流,适用于需要大电流流动的高功率应用。这种特性使得该 MOSFET 可以在高负载条件下工作,同时保持较低的导通电阻。

  3. 低导通电阻: 在 10V 栅极驱动电压下,STP270N8F7 的最大导通电阻(Rds(on))为 2.5 毫欧,确保在工作中实现低能耗,减少在电流流通过程中的能量损失,从而提高系统的总体效率。

  4. 宽工作温度范围: STP270N8F7 具有极广的工作温度范围,从 -55°C 到 175°C (TJ),使其在严苛环境下仍能稳定工作,适用于工业级和高温应用。

  5. 栅极电荷和驱动要求: 在 10V 的栅极驱动下,栅极电荷(Qg)最大值为 193nC。这种合理的栅极电荷特性使得驱动电路的设计更加简单,同时也降低了开关损耗,适合高频应用。

  6. 输入电容: 在漏源电压为 50V 时,输入电容(Ciss)达 13600pF,这意味着 MOSFET 在操作时对驱动信号的响应速度较快,有助于提升开关频率性能。

应用领域

得益于其出色的电参数和耐受能力,STP270N8F7 在以下几个领域得到了广泛应用:

  • 开关电源:在DC-DC转换器和AC-DC适配器中,STP270N8F7 能够有效控制电源开关,有助于提高转换效率。
  • 电机驱动:在电机控制电路里,使用 STP270N8F7 可极大提高电机运行的稳定性和效率,特别是用于无刷直流电机和步进电机的驱动。
  • 逆变器:用于太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中,提供高效的电能转换和稳定的电力输出。
  • 工控设备:在各种工业自动化设备中,该 MOSFET 提供了可靠的开关和控制能力,实现设备的精确操作与监控。

总结

STP270N8F7 是一款能在高电压、高电流和恶劣环境条件下运行的优质 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围及良好的电气性能,使其在现代电源管理和驱动应用中具有无可比拟的竞争力。在选择高效能、高可靠性的银焊应用时,STP270N8F7 将是值得信赖的选择。