STP270N8F7 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO-220-3 封装,具备 80V 的漏源电压(Vdss)和高达 180A 的连续漏极电流(Id)能力。此 MOSFET 设计旨在满足高功率应用对于效率、热性能与可靠性的严格要求,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种自动化设备。
高漏源电压: STP270N8F7 具有 80V 的漏源电压(Vdss),使它能够在大多数高压应用中发挥重要作用,是多种电源管理和转换电路中的理想选择。
高电流承载能力: 在热管理良好的情况下,STP270N8F7 能够支持高达 180A 的连续漏极电流,适用于需要大电流流动的高功率应用。这种特性使得该 MOSFET 可以在高负载条件下工作,同时保持较低的导通电阻。
低导通电阻: 在 10V 栅极驱动电压下,STP270N8F7 的最大导通电阻(Rds(on))为 2.5 毫欧,确保在工作中实现低能耗,减少在电流流通过程中的能量损失,从而提高系统的总体效率。
宽工作温度范围: STP270N8F7 具有极广的工作温度范围,从 -55°C 到 175°C (TJ),使其在严苛环境下仍能稳定工作,适用于工业级和高温应用。
栅极电荷和驱动要求: 在 10V 的栅极驱动下,栅极电荷(Qg)最大值为 193nC。这种合理的栅极电荷特性使得驱动电路的设计更加简单,同时也降低了开关损耗,适合高频应用。
输入电容: 在漏源电压为 50V 时,输入电容(Ciss)达 13600pF,这意味着 MOSFET 在操作时对驱动信号的响应速度较快,有助于提升开关频率性能。
得益于其出色的电参数和耐受能力,STP270N8F7 在以下几个领域得到了广泛应用:
STP270N8F7 是一款能在高电压、高电流和恶劣环境条件下运行的优质 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围及良好的电气性能,使其在现代电源管理和驱动应用中具有无可比拟的竞争力。在选择高效能、高可靠性的银焊应用时,STP270N8F7 将是值得信赖的选择。