型号:

IRFP27N60KPBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-247-3
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
IRFP27N60KPBF 产品实物图片
IRFP27N60KPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 500W 600V 27A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
12.1
500+
11.75
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)27A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@10V,16A
功率(Pd)500W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)180nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.66nF
反向传输电容(Crss@Vds)41pF
工作温度-55℃~+150℃

IRFP27N60KPBF 产品概述

一、基本概述

IRFP27N60KPBF 是一款由威世(VISHAY)公司推出的高性能N通道MOSFET场效应管,专为高压、高电流应用而设计。该器件的最大漏源电压为600V,标称连续漏极电流为27A,能够满足大多数工业及电力电子应用的需求。凭借其出色的热性能和低导通电阻,本MOSFET适合用于电源转换、开关电源、逆变器、马达驱动和其他各类功率控制系统。

二、主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): 该器件支持的最大漏源电压达到600V,使其适合高压操作环境。
  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,具有高达27A的连续漏极电流能力,适合各种重载电路。
  3. 导通电阻(Rds(on)): 在10V的驱动电压下,当漏极电流为16A时,最大导通电阻为220毫欧。这种低导通电阻有助于降低功率损耗和热生成。
  4. 栅极阈值电压(Vgs(th)): 在250µA的漏极电流下,器件的最大Vgs(th)为5V,为应用提供了灵活的驱动选项。
  5. 栅极电荷(Qg): 在10V的栅极驱动条件下,最大栅极电荷为180nC,确保快速开关特性。
  6. 输入电容(Ciss): 在25V时,最大输入电容为4660pF,这为高频切换应用提供了良好的兼容性。
  7. 功率耗散: 最大功率耗散能力为500W(在管壳温度下),确保设备在高功率密度下的稳定性。
  8. 工作温度范围: 可以在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作,使其在严苛的环境中仍能稳定运行。

三、封装与安装

IRFP27N60KPBF采用TO-247-3封装,这一类型的封装具有较好的散热性能和强固的机械结构。通孔安装(Through-Hole)设计使得电路板的布局更加灵活,便于在高功率应用中获得良好的散热效果。

四、应用领域

由于其优良的电气特性与工作稳定性,IRFP27N60KPBF在多种应用场合均可表现出色,具体包括:

  • 开关电源: 作为主开关元件,处理电源输入、输出的切换。
  • DC-DC转换器: 适用于需要高效能转换的各种电源应用。
  • 逆变器: 常用于可再生能源系统(如太阳能和风能)的能量转换。
  • 马达驱动: 可配合PWM控制,精确控制电机的运行状态。
  • 高频开关电路: 由于较低的栅极电荷和输入电容,使其在开关频率高的应用中具有竞争力。

五、总结

IRFP27N60KPBF MOSFET凭借卓越的电气性能、广泛的工作温度和高功率处理能力,成为了现代电力电子设计中的优选元件。其出色的可靠性和经济性,使其在各种应用场合,特别是在要求高负载和高效能的环境中表现优异。作为威世公司的一款优质产品,IRFP27N60KPBF适合各类工程师与设计人员选择,以满足日益增长的电力需求和日常工业应用挑战。