型号:

DTC123EETL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3
批次:-
包装:编带
重量:0.024g
其他:
DTC123EETL 产品实物图片
DTC123EETL 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-416
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.094
3000+
0.0746
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)20@20mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)500mV@100uA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
输入电阻2.2kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DTC123EETL 产品概述

1. 产品简介

DTC123EETL是一款高性能数字NPN晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,专为数字电路设计而成。其灵活的参数设定和可靠的性能使其特别适用于各种低功耗电子设备,能够满足当今市场对小型化、轻量化及高效能电子产品的需求。其最大电流可达100mA,电压可承受50V,适合多种应用场景。

2. 基本电气特性

DTC123EETL拥有以下关键电气参数:

  • 安装类型:表面贴装型,能够通过自动化设备进行快速、高效的焊接和组装。
  • 最大集电极电流(Ic):100mA,使其适用于要求较高电流输出的电路。
  • 集电极截止电流(最大值):500nA,表明其在关闭状态时的极低漏电流表现。
  • 最大集射极击穿电压:50V,确保其在高电压环境下依然稳定工作。
  • 饱和压降(Vce):在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,Vce饱和压降最大为300mV(在500µA和10mA条件下),显示出其优良的开关特性和低功耗表现。
  • 基础电流增益(hFE):在特定的集电流和电压条件下,hFE的最小值为20 (@ 20mA, 5V),确保其在工作电路中的增益性能。

3. 高频特性

DTC123EETL具有250MHz的跃迁频率,适合用于高速信号处理和大频宽应用。这使得DTC123EETL能够在高速数字电路中,如开关电源、调制解调器和数字信号处理器等,提供卓越的性能。

4. 附加电路特性

  • 基极电阻(R1):2.2 kΩ 与发射极电阻(R2)2.2 kΩ的设计,使其在多个工作状态下保持良好的稳定性和可靠性。这种设计能够有效防止过载和短路,同时也简化了外围电路的设计。

5. 最大功率限制

DTC123EETL的最大功率限制为150mW,这保证其在高负载条件下长时间工作时不会过热,从而延长器件的寿命并提高整个电路的可靠性和安全性。

6. 应用领域

DTC123EETL适用于广泛的应用场合,包括但不限于:

  • 消费电子:适用于智能手机、平板电脑及家用电器等产品中的开关电路。
  • 工业设备:在各种传感器和控制模块中,DTC123EETL能够作为开关和放大器。
  • 汽车电子:适应于汽车信号处理和控制系统,提升汽车安全性及可靠性。
  • 通信设备:在调制解调器和光纤通信中作为信号放大器,提升信号质量。

7. 封装信息

DTC123EETL采用EMT3(SOT-416)封装,体积小巧,有助于节省PCB空间,特别适合高密度集成电路设计,其设计也兼顾了散热管理,确保元器件在高功率操作下能维持良好的散热性能。

8. 结论

综上所述,DTC123EETL作为一款高性能和可靠性的数字NPN晶体管,凭借其优良的电气特性和多功能的应用能力,成为现代电子设计中的重要组件。这款晶体管的低功耗、高效率和良好的工作稳定性使其在当今日益复杂的电子应用中扮演着重要的角色。无论是在消费电子、工业自动化还是通信领域,DTC123EETL都将是您的理想选择。