STB21N90K5 产品概述
STB21N90K5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），适用于各种高压和高功率应用。其出色的技术特性和卓越的电气性能，使得STB21N90K5适合用于电源转换、开关电源和工业控制等多个领域。
基本特性
驱动电压与导通电阻: STB21N90K5 的最大 Rds On 为299毫欧（在 Id = 9A, Vgs = 10V时），确保了其在开关过程中能够以较低的损耗运行。所需的驱动电压为10V，这确保了该器件在高效能的同时，还能有效降低发热量。
高漏源电压: 该MOSFET具有900V的漏源电压（Vdss），这使得它在高压应用中表现出色，能够满足工业设备、高压电源和其他高电压应用的要求。这种高压能力跃升了其在电力电子领域的适用性。
高功率耗散: STB21N90K5的最大功率耗散能力为250W（在安装基板温度Tc条件下）。这一特性使其在高功率密集的系统中也能保持稳健的运行性能。
电流能力: 在25°C下，该器件的连续漏极电流（Id）可达18.5A。这种高电流承载能力，结合其出色的导通电阻，使得STB21N90K5成为高功率和高效率的理想选择。
工作温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C，这表明STB21N90K5能够在极端环境下工作，适用于各种苛刻的应用场合，如汽车、航空航天和工业处理系统。
栅极电荷与输入电容: 在Vgs = 10V时，栅极电荷（Qg）最大为43nC。这一小值有助于简化驱动电路设计，减少所需的驱动功耗。此外，输入电容（Ciss）在100V时最大为1645pF，使得该器件具有良好的开关速度，适合高频应用。
Vgs（阈值电压）: 当提供100µA的漏电流时，Vgs(th)最大为5V。较低的阈值电压使得该MOSFET在较低的栅源电压下工作，进一步提高了其在多种工作状态下的灵活性。
封装与安装类型: STB21N90K5采用表面贴装型封装（D2PAK），这种封装形式便于自动化生产和简化散热设计。同时，它的封装设计优化了空间利用，适合于紧凑的电子设备。
应用场合
STB21N90K5广泛应用于以下场合：
- 开关电源（SMPS）：利用其高电流和高电压承受能力进行高效能转换。
- 工业电机控制：在电动机驱动和控制系统中作为开关元件。
- 电气车：在电动汽车及混合动力汽车电池管理和高压电源系统中应用。
- 照明控制：用于高压灯具的电子变压器和驱动电路。
- 消费电子：科技时代所需的高效电源管理和优化能耗。
总结
综上所述，STB21N90K5 是一款兼具高性能与高稳定性的N沟道MOSFET，适合在各种工业、汽车、照明及消费电子领域的高压、大功率应用中使用。其卓越的电气特性和环境适应力，不仅为设计工程师提供了极大的设计灵活性，也在实际应用中展现出其高效、可靠的优良品质。