PSMN1R2-25YL,115

产品概述: PSMN1R2-25YL,115

1. 产品简介

PSMN1R2-25YL,115 是一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高性能电源管理和开关应用设计。作为Nexperia（安世）公司的优质产品，该MOSFET在高频和高功率条件下具有优良的效率和可靠性。其具有低漏源导通电阻（Rds(on)）和高连续漏极电流承载能力，使其在多个工业和汽车应用中表现出色。

2. 主要参数

• 漏源电压（Vdss）: 25V
• 连续漏极电流（Id）: 100A @ 25°C (Tc)
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.15V @ 1mA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.2mΩ @ 15A，10V
• 最大功率耗散: 121W @ 25°C (Tc)
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 栅极电荷（Qg）: 105nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）: 6380pF @ 12V
• 封装类型: LFPAK56，Power-SO8

3. 应用领域

PSMN1R2-25YL,115由于其出色的导电性和耐高温性能，广泛应用于以下领域：

• 电源转换器: 在DC-DC转换器、AC-DC变换器中充当开关元件，有助于提高能效和降低损耗。
• 电动汽车: 在电动驱动系统中，作为高边或低边开关，提升整体供电效率和散热管理。
• 可再生能源: 在太阳能逆变器和风力发电机中，优化功率管理，确保稳定可靠的电力输出。

4. 性能优势

• 低导通电阻: PSMN1R2-25YL,115采用先进的半导体工艺，实现了极低的导通电阻，这将有助于减少热损耗，提高效率，特别适合高频和高电流的应用。
• 高电流承载能力: 该元件的设计确保在高达100A的连续电流下可以稳定工作，适合高功率应用。
• 宽温度工作范围: 从-55°C到150°C的工作温度范围确保其在恶劣环境下也能可靠运行，适合汽车和工业环境。
• 易于驱动: PSMN1R2-25YL,115对栅极驱动电压的宽容忍度（4.5V到10V）使其能够和多种控制电路兼容，简化了设计复杂性。

5. 封装与安装

该MOSFET采用LFPAK56封装，具有良好的热管理性能。表面贴装型设计（SMD）使得在自动化生产中更为方便，有利于提高生产效率。其小巧轻便的特点也使其在空间有限的电子设备中表现出色。

6. 总结

在现代电子设备中，对于功率器件的性能要求越来越高，PSMN1R2-25YL,115 MOSFET凭借其优良的电气特性和可靠性，成为电源管理和驱动电路设计中的理想选择。无论是在电动汽车、工业设备还是可再生能源应用中，PSMN1R2-25YL,115都能为用户提供更高的效率和更低的热损失，从而满足快速发展的电气化和自动化趋势。