型号:

BUK7M42-60EX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK33
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
BUK7M42-60EX 产品实物图片
BUK7M42-60EX 一小时发货
描述:Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 78A; 36W
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V,5A
功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)9nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)508pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)57pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:BUK7M42-60EX N通道MOSFET

概述

BUK7M42-60EX是由Nexperia(安世)公司制造的一款高性能N通道MOSFET。这款MOSFET采用现代金属氧化物半导体技术,能够支持高电压和高电流的应用,在各类电子设备中广泛应用。其独特的封装设计和优越的电气特性使其成为许多高功率和高频开关应用的理想选择。

主要参数

  • FET类型:N通道
  • 技术:MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss):60V,适用于中等电压应用。
  • 连续漏极电流 (Id):可达20A,确保在高负载情况下稳定工作。
  • 驱动电压:最佳工作条件下,10V的驱动电压可实现最小Rds(on)。
  • 导通电阻 (最大值):在5A和10V时为42毫欧,表现出极低的导通损耗。
  • 阈值电压 (Vgs(th), 最大值):在1mA时可达到4V,方便设计中进行可靠开关控制。
  • 栅极电荷 (Qg, 最大值):在10V条件下为9nC,适合频繁开关应用,提供高效的电荷驱动。
  • 输入电容 (Ciss, 最大值):在25V时为508pF,这一电容值非常适合快速开关。
  • 功率耗散 (最大值):可承受高达36W的功率,支持高效能要求。
  • 工作温度范围:-55°C至175°C,满足高温和低温操作的需求,适用于各种苛刻环境。
  • 封装类型:LFPAK33,表面贴装设计,可提高电路板设计的灵活性,便于自动化焊接。

应用领域

BUK7M42-60EX可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:在电源转换器中,MOSFET常被用于升压或降压转换器,以实现高效的能量转移,特别是在高频开关电源中表现优秀。
  • 电机驱动:适合用作电机控制的开关器件,可实现对电机的快速启停和调速。
  • 负载开关:在便携式设备和家具电器中,BUK7M42-60EX能够有效控制高功率负载,实现安心的开关操作。
  • 汽车电子:为汽车中的电动车窗、照明系统和动力系统提供高可靠性的电源开关控制。
  • 工业控制:在各种工业机械和设备中,可实现对复杂负载的高效控制。

性能优势

  1. 高效能:BUK7M42-60EX的低Rds(on)特性使其在高电流时具有出色的导通效率,较低的功耗可显著提高整体系统的效率。
  2. 高可靠性:其广泛的工作温度范围和较高的功率耗散特性,增强了产品在极端环境下的稳定性和可靠性。
  3. 优化的封装设计:LFPAK33封装不仅提供了优良的热管理性能,还使得该器件在安装时具有更大的灵活性,对PCB设计优化也有所助益。

结论

BUK7M42-60EX作为一款高效、高功率的N通道MOSFET,在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。随着电子技术的不断发展和应用需求的日益多样化,这款MOSFET将继续为客户提供可信赖的性能保障,引领高效能电子产品的潮流。无论市场需求如何变化,BUK7M42-60EX始终是一个理想的选择,以满足广大电子应用的高效能需求。