型号:

2SB1132T100R

品牌:ROHM(罗姆)
封装:MPT3(SOT-89)
批次:2年内
包装:编带
重量:0.12g
其他:
2SB1132T100R 产品实物图片
2SB1132T100R 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 32V 1A PNP TO-243AA
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.646
50+
0.431
1000+
0.39
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)32V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@0.1A,3V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2SB1132T100R PNP晶体管

基本信息

  • 品牌: ROHM(罗姆)
  • 型号: 2SB1132T100R
  • 封装类型: MPT3(SOT-89)
  • 类型: PNP型三极管
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)

电气参数

  • 最大集电极电流(Ic): 1A
  • 最大集电极截止电流(ICBO): 500nA
  • 最大功率: 2W
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 32V
  • 不同集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)时的饱和压降(Vce(sat)): 最大500mV,分别针对50mA和500mA的Ic
  • 工作温度范围: -40°C 至 +150°C(TJ)
  • 频率特性: 跃迁频率为150MHz
  • 直流电流增益(hFE): 在100mA、3V时的最小值为180

功能特性 2SB1132T100R是一款高性能PNP晶体管,专为满足多种用于开关和放大应用的需求设计。凭借其最大1A的集电极电流和32V的集射极击穿电压,2SB1132T100R适用于需要较高电流和电压的电路中。

其高达150MHz的跃迁频率使其在高频应用中表现优良,适合用于信号处理和高频开关电路。同时,最大功耗达到2W,使得该晶体管能够在较具挑战性的条件下可靠工作。

此外,该产品的直流电流增益(hFE)在典型工作条件下可达到180,说明其在放大应用中能够提供良好的增益,充分满足小信号处理或者功率放大等需求。

应用场景 2SB1132T100R广泛应用于各类电子设备中,尤其是:

  1. 音频放大器: 其高增益和低饱和电压非常适合用于音频信号放大。
  2. 开关电源: 可用于电源管理电路,以控制开关动作。
  3. RF信号调制: 由于其高频特性,适合用于无线通信及其它RF电路。
  4. 电机控制: 适用于直流电机的启动与控制。
  5. 移动设备和便携式电子产品: 由于其小型化封装(SOT-89),使其成为设计紧凑型电子产品的理想选择。

结论 ROHM的2SB1132T100R PNP三极管在高电流和高频应用中显示出良好的性能,适合多种电子设备的设计要求。其出色的热性能和低功耗特性使其成为理想的选择,无论是在高频开关应用,还是在高效能的放大应用,均能发挥其优越性能。结合其小型表面贴装封装,使得该产品在复杂的电路设计中提供了极大的灵活性和适应性。无论是专业的工程师还是电子爱好者,2SB1132T100R都将是实现设计目标的强大工具。