产品简介
STGW19NC60HD是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件被广泛应用于各种电力电子应用领域,如变频器、逆变器和开关电源等。具有极高的集电极电流和电压耐受能力,这使得STGW19NC60HD非常适合高功率、高效率的电源管理系统。
关键参数
安装类型与封装
STGW19NC60HD采用通孔安装的TO-247封装,具有长引线设计。这使得其在安装过程中更为便捷,同时也便于散热,可以有效提升其在高功率应用中的可靠性。
电流和电压特性
该IGBT最大集电极电流(Ic)达到42A,且可以承受高达600V的集电极-发射极电压(Vce),使其在高电压、高电流的工作环境中表现出色。而在脉冲使用情况下,其标称脉冲电流(Icm)更可达到60A。
导通电压和栅极电荷
STGW19NC60HD在15V的栅源电压(Vge)下,当集电极电流为12A时,最大导通电压为2.5V,这一低导通电压特性可有效降低开关损耗,提高整体能效。此外,栅极电荷为53nC,表明其在驱动电路中的驱动功率消耗相对较低。
开关能量损耗
在开关特性方面STGW19NC60HD展现出卓越的性能,其开关能量分别为85µJ(开)和189µJ(关),有助于提升开关效率,减少热损耗。
热特性与工作条件
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,可以满足苛刻环境下的应用需求。而25°C时的开关延迟时间(Td)为25ns,关断延迟时间为97ns,确保其快速响应能力,有效减小开关损失。
反向恢复时间
STGW19NC60HD具有良好的反向恢复性能,其反向恢复时间(trr)仅为31ns,适合高频开关应用。
应用领域
STGW19NC60HD的高电压和高电流特性,使其非常适合以下应用:
总结
STGW19NC60HD是一款综合性能卓越的IGBT器件,兼具高电压耐受能力、低导通损耗以及良好的开关特性,适用于高功率电力电子装备的应用中。意法半导体凭借其先进的技术和制造工艺,确保了该产品在各种工作条件下的稳定性与可靠性。无论是在工业自动化、电源转换还是可再生能源等领域,STGW19NC60HD都体现出其广泛的应用潜力与价值。