型号:

STP55NF06

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220AB
批次:2年内
包装:管装
重量:2.74g
其他:
STP55NF06 产品实物图片
STP55NF06 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 110W 60V 50A 1个N沟道 TO-220
库存数量
库存:
2000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.88
100+
2.31
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A
功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STP55NF06 产品概述

STP55NF06 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 型场效应管(MOSFET),其具有出色的电气特性和广泛的应用场景。该元器件在功率电子设计中扮演着重要角色,适合用于各种功率管理应用,如开关电源、马达驱动、功率转换器及其他需要高效率和高可靠性的电力控制要求的电路。

关键参数

  1. 电流和电压处理能力

    • STP55NF06 的连续漏极电流(Id)最大为 50A,能够在高负载条件下稳定工作。
    • 漏源电压(Vdss)为 60V,使其能在较高电压环境中安全操作,适用于多种电源管理系统。
  2. 导通电阻和功率耗散

    • 该 MOSFET 在 27.5A 时,最大导通电阻(Rds(on))仅为 18毫欧,保证了较低的功耗和热量生成。这一点对于高效率的电源转换至关重要。
    • 最大功率耗散为 110W(在规范的工作环境下),使用户能根据具体应用需求,合理设计散热方案。
  3. 栅极驱动特性

    • 栅极阈值电压(Vgs(th))为 4V,具有较低的启用电压,能够在较低的控制电平下实现导通。
    • 栅极电荷(Qg)的最大值为 60nC @ 10V,意味着在开关操作时,可实现较快的开关速度,降低开关损耗,提高系统的整体效率。
  4. 温度和电容特性

    • STP55NF06 的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 175°C,这使得该 MOSFET 可以在极端环境条件下可靠运行。
    • 输入电容(Ciss)最大为 1300pF @ 25V,为高频开关操作提供了足够的电容承载能力。
  5. 封装和安装

    • 该产品采用 TO-220AB 封装,具备良好的热管理能力,适合通孔安装,使其能够轻松集成到各种电路板设计中。

应用场景

STP55NF06 适合广泛的应用领域,例如:

  • 开关电源:高效的电流控制,满足各类电源转换要求。
  • 马达驱动:适用于电动机控制系统,能够承受高负载条件,满足快速开关的执行要求。
  • 功率转换器设计:在DC-DC转换器和其他功率管理设备中提供稳定的输出性能。
  • 电池管理系统:在电池充放电控制中,确保高效且安全的电流管理。

总结

STP55NF06 是一款性能优良、稳定的 N 型 MOSFET,凭借其出色的电流容量、低导通电阻和广泛的工作温度范围,成为各种功率电子应用中的理想选择。无论是在开关电源还是马达驱动等领域,其高效的电气性能都能提供可靠的支持,帮助设计者实现高品质的电力控制方案。整体而言,STP55NF06 以其卓越的特性和意法半导体的品牌质量保证,成为工程师和设计师在设计高效能电力电子设备时的重要助手。