型号:

FMG9AT148

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SMT5
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
FMG9AT148 产品实物图片
FMG9AT148 一小时发货
描述:晶体管-双极-BJT-阵列-预偏置-2-个-NPN-预偏压式(双)-50V-100mA-250MHz-300mW-表面贴装型-SMT5
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产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-40℃~+150℃

产品概述:FMG9AT148

FMG9AT148是一款由著名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产的双极型晶体管阵列,特别设计用于满足高效能、紧凑型表面贴装应用的需求。这款产品集成了两个NPN晶体管,具有预偏置特性,适用于多种电子设备和电路的应用,尤其在需要高频开关和信号处理的场合。

主要规格

FMG9AT148的核心参数包括:

  • 安装类型:表面贴装型(SMT),使其在PCB板的布线设计中具有更高的灵活性和密度。
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA,确保其适应较高负载的操作需求。
  • 最大集电极截止电流:500nA,显示出该器件在关闭状态下的优异漏电性能,从而减少了电池供电设备的功耗。
  • 最大集射极击穿电压:50V,保证在高电压应用场合下的稳定性和安全性。
  • 饱和压降 (Vce):在不同的集电极电流 (Ic) 和电压 (Vce) 下,最大发生器件的饱和压降仅为300mV(在500µA和10mA条件下),这有助于提高效率。
  • 频率跃迁:频率达到250MHz,适用于高频应用,比如射频(RF)和高速开关电路。

DC电流增益 (hFE)

FMG9AT148在特定条件下提供的最低DC电流增益(hFE)为30(在5mA,5V条件下),这一增益性能使得FMG9AT148在开关及放大应用中的表现出色。高增益的特性能够有效提升该器件在大电流驱动以及信号放大的表现,适合用于音频放大器和信号调理应用。

功率和散热

该晶体管的最大功率为300mW,适合中小功率的驱动要求。由于其设计优良,FMG9AT148在散热性能上表现良好,确保在长时间操作下的稳定性,降低由于温度升高造成的性能衰减。合理的散热设计有助于进一步延长元件的使用寿命,这在工业控制及消费类电子产品中显得尤为重要。

应用场景

由于其卓越的性能,FMG9AT148可广泛应用于各类电子设备,包括但不限于:

  • 信号放大与处理:适用于音频信号处理器、无线电接收器等场合。
  • 开关电路:可用于低功耗开关组件,例如继电器驱动器、电动机控制等。
  • 通信设备:由于其高频特性,适用于高频率的射频应用,确保信号的完整性。
  • 便携式设备:低功耗特色使其在电池供电设备如手持式医疗设备、传感器等方面得以广泛使用。

结论

总结来说,FMG9AT148是一款高性能、紧凑型的双极型晶体管阵列,其出色的参数使其成为高频开关和信号处理应用领域的理想选择。无论是工业自动化、消费类电子、还是通信系统,FMG9AT148均能提供卓越的性能支持。由于ROHM作为一个可靠的品牌,其质量和性能均得到行业的广泛认可,FMG9AT148无疑是设计师和工程师在选择高效能元器件时的优先选择。