型号:

DMP3013SFV-13

品牌:DIODES(美台)
封装:PowerDI3333-8
批次:22+
包装:编带
重量:0.05g
其他:
DMP3013SFV-13 产品实物图片
DMP3013SFV-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 940mW 30V 12A;35A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.41
100+
1.13
750+
1.01
1500+
0.954
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@4.5V,8.5A
功率(Pd)940mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)33.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.674nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)230pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMP3013SFV-13 产品概述

在现代电子设备中,场效应管(FET)作为一种重要的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、信号处理、以及各种功率控制场景。DMP3013SFV-13 是一款由DIODES公司生产的P型MOSFET,结合了多种优异的电气特性和可靠性,适用于多种应用场合。

1. 关键参数

DMP3013SFV-13 的主要电气特性使其在客户应用中表现出色:

  • FET 类型:P通道 MOSFET,适用于需要负载开关和反向电流保护的电路设计。
  • 漏源电压 (Vdss):该器件能够承受最高30V的漏源电压,这对于许多低压电源应用来说已足够。
  • 连续漏极电流 (Id):在25°C环境温度下,DMP3013SFV-13 的连续漏极电流可达12A,而在载冷条件下可达到35A,这使其在高负载情况下仍能稳定工作。
  • 导通电阻 (Rds On):在10V的栅极驱动电压下,Rds On 最大值为9.5毫欧,确保了其低导通损耗,提高整体效率。
  • 驱动电压:该器件在4.5V和10V的栅极驱动电压下表现良好,为设计提供了灵活性。

2. 可靠性和稳定性

DMP3013SFV-13 的工作温度范围广泛,能够在-55°C到150°C的环境下正常工作,确保其在苛刻条件下的稳定性和可靠性。此外,其最大功率耗散能力为940mW,适合在小型化设计中有效管理功率发热。

3. 封装特性

该器件采用 PowerDI3333-8 表面贴装封装(也称为8-PowerVDFN),这种紧凑的封装设计有助于节省空间,同时也提高了散热特性,适应现代电子产品对小型化和轻量化的要求。此外,PowerDI封装具有优越的电气性能,特别适合高频和高功率应用。

4. 驱动和控制

DMP3013SFV-13 在栅极电荷(Qg)方面的表现也十分出色,其最大值为33.7nC@10V。较低的栅极电荷意味着在驱动电路设计中可减少开关损耗,提高整体转换效率,特别适合应用于开关电源和逆变器等领域。

5. 应用领域

凭借这些优异的性能,DMP3013SFV-13 可广泛应用于:

  • 开关电源(SMPS):用于高效电源转换,以提高能效。
  • 电机驱动:在电机控制应用中提供高效的切换能力。
  • 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑等,提供可靠的电路保护和信号控制。
  • 电池管理系统:用于电池充电和放电过程中的电流控制和保护。

结论

DMP3013SFV-13 是一款功能强大的 P 型 MOSFET,凭借其优越的电气性能和可靠性,能够满足未来电子产品日益严格的性能要求。无论是在高频开关电源、马达控制,还是在复杂的电源管理系统中,DMP3013SFV-13 都展现出极佳的适应性,成为设计师的理想选择。通过选择 DMP3013SFV-13,设计师们可以在提高电路效率和可靠性的同时,降低产品的整体尺寸,满足现代电子产品的需求。