型号:

AON6234

品牌:AOS
封装:DFN5x6-8L EP1
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
AON6234 产品实物图片
AON6234 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 83W 40V 85A 1个N沟道 PDFN-8(5.2x5.6)
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)33.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.335nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)45pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

AON6234产品概述

AON6234是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用先进的表面贴装型DFN5x6-8L封装,专为高功率、高效率的电源管理和驱动应用而设计。这款器件拥有出色的电气特性和可靠的散热能力,使其在各种苛刻环境下均能保持优异的性能。

基本参数

AON6234的关键电气参数包括最高漏极电流 (Id)为20A(在室温下)和85A(在功率散热提升的情况下),漏源电压(Vds)高达40V,且最大功率耗散能力为83W(在高温环境中)。这些特性使其适用于电源转换器、马达驱动、DC-DC变换器等应用。

导通电阻与驱动电压

在不同的栅极-源极电压(Vgs)条件下,AON6234具有令人印象深刻的导通电阻(Rds(on)),最大值为3.4毫欧(在20A,10V的条件下)。这种低导通电阻意味着在工作时可能产生的电能损耗降至最低,从而提高整体系统的效率。此外,驱动电压的要求也很灵活,最低驱动电压可达4.5V,最高可达10V,进一步增强了其应用的多样性。

输入电容与栅极电荷

AON6234在不同漏极源极电压(Vds)下的输入电容(Ciss)最大值为2805pF(在20V的条件下)。这一特性对于高速开关应用尤为重要,能够提供快速的开关性能,从而降低开关损失。同时,在不同Vgs条件下的栅极电荷(Qg)最大值为41nC(在10V条件下),也表明这款器件适合于高频应用。

工作温度与可靠性

AON6234适用的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保该器件能够在极端环境下工作而不失其性能。此外,器件在最大阈值电压(Vgs(th))为2.4V(在250µA时),使其在低电压驱动情况下也能可靠导通,增加了设计的灵活性和可行性。

应用场景

AON6234广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:可用于高效的DC-DC转换器、LED驱动器等电源设备。
  2. 电机驱动:适用于各类电机的驱动电路,尤其是需要高功率和高效率的场合。
  3. 通信设备:在射频放大器和信号处理器中,作为开关元件,以实现高效信号放大。
  4. 汽车应用:具备高温和高功率处理能力,使其适合用于汽车电子系统。

总结

AON6234凭借其卓越的电气性能、良好的工作温度范围以及适应多样化应用的能力,成为了现代电子设计中不可或缺的元器件。其高效、可靠的特性使其在高性能电源管理、驱动和其它多种应用领域获得了广泛的认可与应用。作为一种先进的N沟道MOSFET,该器件为设计工程师提供了丰富的设计选项,能够满足不断发展的市场需求。选择AON6234将是推动电子系统效率与可靠性的有效途径。