型号:

DMP6185SEQ-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.294g
其他:
DMP6185SEQ-13 产品实物图片
DMP6185SEQ-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.2W 60V 3A 1个P沟道 SOT-223-4
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最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.756
2500+
0.699
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)150mΩ@10V,2.2A
功率(Pd)2.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)708pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMP6185SEQ-13 产品概述

一、基本信息

DMP6185SEQ-13 是一款高性能 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),由知名供应商 DIODES(美台)制造,广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等多种电子设备。作为一款表面贴装型元件(封装形式为 SOT-223),其设计优化了空间占用和热管理,使其成为现代电子设计中理想选择。

二、关键参数

  1. FET 类型: P 通道
  2. 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  3. 漏源电压(Vdss): 60V
  4. 25°C 时连续漏极电流 (Id): 3A
  5. 驱动电压: 最小 Rds On 在 4.5V 和 10V 时表现良好。
  6. 导通电阻 (Rds On): 在不同 Id 和 Vgs 情况下表现出优异的电阻特性,最大导通电阻为 150 毫欧(@ 2.2A,10V)。
  7. Vgs(th) (阈值电压): 在不同 Id 时,最大阈值电压为 3V(@ 250µA)。
  8. 栅极电荷 (Qg): 最大值为 14nC(@ 10V),此参数在高频开关应用中尤其重要。
  9. Vgs(最大值): ±20V,确保在更高电压环境中的工作安全性。
  10. 输入电容 (Ciss): 708pF(@ 30V),这一特性对电路的高速开关性能至关重要。
  11. 功率耗散: 最大功耗为 2.2W(Ta),支持高功率应用。
  12. 工作温度范围: -55°C 至 150°C(TJ),确保在严酷环境条件下的可靠性。
  13. 供应商器件封装: SOT-223,适合表面贴装,便于自动化生产。
  14. 封装类型: TO-261-4、TO-261AA,提高了散热性能和安装灵活性。

三、应用领域

DMP6185SEQ-13 适应广泛的电子应用,其主要应用领域包括但不限于:

  • 开关电源: 在电源转换中,DMP6185SEQ-13 能有效控制电流,降低电能损耗。
  • 电机驱动: 本产品能够快速开关,实现电机的精确控制,适合电机驱动器设计。
  • 负载开关: 可用于开关控制电路,提供高效的负载管理。
  • 功率放大器: 适合音频、信号放大电路中用于提高输入信号的功率。
  • LED 驱动: 在照明设备中,DMP6185SEQ-13 可作为高效的 LED 驱动元件。

四、产品优势

  1. 高效能: 通过其低导通电阻,在保证高电流容量的同时,减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 广泛兼容性: 该 MOSFET 能够适应多种电压和电流条件,满足不同电路设计需求。
  3. 优良的热管理: 由于其封装设计,能有效散热,提升器件的可靠性和使用寿命。
  4. 高温稳定性: 在极端温度条件下(-55°C 至 150°C),DMP6185SEQ-13 的性能仍能保持稳定,适应于航空、汽车及工业等领域的严苛环境。

五、总结

DMP6185SEQ-13 是一款高性能、稳定可靠的 P 通道 MOSFET,其核心参数和特性使其成为多种电子应用中的优选器件。通过采用先进的半导体技术,DIODES 提供了一个优化的解决方案,帮助工程师在电源管理、开关电路等领域实现更高的效率和更低的功耗。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子,DMP6185SEQ-13 都展现出卓越的性能,是现代电路设计的宝贵资产。