型号:

DMP45H150DHE-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
DMP45H150DHE-13 产品实物图片
DMP45H150DHE-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 13.9W 450V 250mA 1个P沟道 SOT-223-3
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)450V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)150Ω@10V,50mA
功率(Pd)13.9W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.8nC
输入电容(Ciss@Vds)59.2pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)1pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

DMP45H150DHE-13 产品概述

DMP45H150DHE-13 是一款由美台半导体(DIODES)生产的 P 型 MOSFET(场效应晶体管),其特别设计用于高压和中等功率应用。此器件具有450V的漏源电压(Vdss)和250mA的连续漏极电流(Id),使其在高压开关、功率管理和其他相关电路中表现出色。

1. 主要特性

  • 高电压兼容性:DMP45H150DHE-13 的漏源电压高达450V,使其能够在高压环境下安全运行,适合于需要高耐压的应用场合,如电源开关和逆变器。

  • 高效导通特性:器件在10V的栅极驱动电压下,最大导通电阻(Rds(on))为150Ω(在50mA的漏电流下),这使其在开启状态时能够有效降低功耗,提升操作效率。

  • ±30V的栅极电压范围:器件的栅极-源极最大电压(Vgs)为±30V,扩展了其适用的电路设计灵活性,以满足不同的驱动需求。

  • 宽广的工作温度范围:DMP45H150DHE-13 的工作温度范围为-55°C至150°C,保证了其在各种苛刻环境下的可靠性和稳定性。

  • 良好的开关性能:在高达1.8nC的栅极电荷(Qg)下,器件能够快速切换,从而提升整体电路的响应速度,对高频应用尤其重要。

2. 物理特性与封装

DMP45H150DHE-13 采用 SOT-223 表面贴装封装,适合于自动化贴装流程,节省制造成本,同时其紧凑设计使其在空间受限的应用中尤为适用。封装外壳也支持 TO-261-4 和 TO-261AA 的应用,尽可能地满足不同客户的需求。

3. 应用场景

DMP45H150DHE-13 适用于各种高压、中功率的电子应用,包括但不限于:

  • 电源管理:用于开关电源、DC-DC 转换器及其他电源管理模块中,作为开关或调节元件,提升电源的效率和稳定性。

  • 电机驱动:在电机控制系统中,作为开关场效应管,可以有效控制电机的启动、速度和转向,从而实现高效控制。

  • LED 驱动器:广泛应用于 LED 照明驱动系统中,以实现高效电压转换和稳定电流输出。

  • 热管理设备:在需要高功率处理能力的热管理设备中,DMP45H150DHE-13 可作为电子负载或热电转换器中的关键元件。

4. 抗干扰能力

得益于其低输入电容(Ciss 最大值为59.2pF),DMP45H150DHE-13 在高速开关条件下,能够有效抑制漏电流和干扰,确保电路在各种环境下的稳定性和可靠性。

结论

DMP45H150DHE-13 是一款高性能的 P 型 MOSFET,结合了高耐压、高效导通及良好的工作温度范围,适合广泛的电源管理和驱动应用。其优越的电气特性和可靠性使其成为高压应用中的理想选择。选择 DMP45H150DHE-13,不仅能提高电路的效能,还能提供更灵活的设计选项,适用于不断变化的市场需求和技术挑战。