描述：场效应管(MOSFET) 1.42W 30V 10A 2个N沟道 SOIC-8
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最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.25
2500+
1.2
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,8.5A
功率(Pd)1.42W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.5nC
输入电容(Ciss@Vds)478.9pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)1.1pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
DMG4822SSD-13 产品概述
一、产品背景
DMG4822SSD-13 是一款高性能双 N 沟道场效应管（MOSFET），由知名品牌 DIODES（美台）生产。作为一种重要的电力电子元器件，DMG4822SSD-13 在各种高频率和高效率的开关电源、电机驱动和负载开关应用中被广泛使用。
二、基本参数
漏源电压（Vdss）: 30V
- 这个参数表示 DMG4822SSD-13 能够在 30V 的电压条件下工作而不会发生击穿，为用户提供了足够的电压安全裕度。
连续漏极电流（Id）: 10A (25°C)
- 该产品在 25°C 环境温度下，能够承受高达 10A 的连续电流，确保在负载条件恶劣时依然具备良好的导电性能。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250μA
- DMG4822SSD-13 的栅源极阈值电压是 3V，这意味着该器件在达到 3V 的栅极电压时，会开始导通，对于逻辑电平驱动非常友好。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 20mΩ @ 8.5A, 10V
- 在 8.5A 电流和 10V 输入下，漏源导通电阻为 20mΩ，表明其具有极低的能量损耗，极大提高了其驱动效率并减少了热量产生。
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.42W
- 对于散热和性能表现而言，1.42W 的功率限制是合理的，使得该器件在环境温度较高时具有更好的稳定性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 这一宽广的工作温度范围使得 DMG4822SSD-13 能够在极端环境下稳定运行，适合航空航天、军事及工业设备等要求严苛的应用场景。
封装类型: SO-8
- 该器件采用了表面贴装（SMT）技术，封装尺寸为 SO-8。这一常见封装形式使得其在 PCB 布局中的使用更加灵活，便于批量生产和维护。
三、应用领域
DMG4822SSD-13 广泛应用于：
- 开关电源（Switching Power Supply）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动（Motor Driver）
- 负载开关和其他高频开关应用
由于其低导通电阻和宽广的工作温度范围，DMG4822SSD-13 是许多电力电子应用中理想的选项。
四、优势
- 高效能: 该器件具备极低的导通电阻和优秀的热性能，显著改善了系统效率。
- 稳健性: 持久的工作温度范围以及较强的瞬态特性使其能够适应复杂和极端的工作环境。
- 灵活性: 片上逻辑电平驱动使得 DMG4822SSD-13 在设计中得到了广泛应用，兼容性强。
五、总结
DMG4822SSD-13 代表了现代电力电子器件中卓越的性能和可靠性，适用于各种高要求的应用场景。其优越的电气性能加上适应广泛的工作环境，强化了该元件在市场上的竞争力，成为设计师与工程师选择场效应管（MOSFET）的理想选择之一。对于希望提升系统效率和可靠性的设计工作，DMG4822SSD-13 无疑是一个值得考虑的优良方案。