SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3 产品概述

产品简介

SQD50P06-15L_GE3 是一款由 VISHAY（威世）生产的高性能 P 沟道 MOSFET，专为需要高功率和高效率的电源管理和开关应用而设计。该产品以其广泛的工作温度范围、优异的导通电阻特性以及出色的功率管理能力，成为了现代电子设备中不可或缺的重要元件之一。

关键参数

• 工作温度范围: SQD50P06-15L_GE3 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C（TJ），使其适应各种严苛的环境条件，广泛应用于汽车电子、工业设备及高温环境下的应用场合。
• 驱动电压: 该 MOSFET 的门源极电压（Vgs）在 4.5V 和 10V 下均可达到最佳的导通状态，确保在不同情况下均能稳定工作。
• 导通电阻 (Rds On): 在 10V Vgs 和 17A 时，SQD50P06-15L_GE3 的最大导通电阻为 15.5 毫欧，极大地减少了能量损耗，提高了系统的整体效率。
• 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 60V，适合多种中压应用。
• 连续漏极电流 (Id): 其在 25°C 环境下的连续漏极电流标称为 50A，对于处理高电流负载来说十分有效。
• 功率耗散: 最大功率耗散为 136W（Tc），在高功率应用中提供了更好的热管理性能。

结构与封装

SQD50P06-15L_GE3 采用表面贴装型 TO-252 封装（D-Pak），其紧凑的设计和易于焊接的特性，使得它能够在更小的电路板面积内实现高功率传输。这种封装方式也帮助增强了散热能力，确保在高功率操作下的可靠性。

性能特征

• 输入电容: 在 25V 时的最大输入电容 (Ciss) 为 5910pF，适合快速开关响应，有助于降低驱动损耗。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V Vgs 下的栅极电荷为 150nC，这使得该器件在开关频率较高的应用中表现出色。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 其最大 Vgs(th) 为 2.5V（@ 250µA），保证了低电压控制下的低损耗开启。

应用领域

SQD50P06-15L_GE3 特别适用于以下领域：

1. 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器及逆变器中，提供高效率的电流控制。
2. 电机驱动: 在各类电机驱动应用中，利用其高电流能力和低导通损耗，优化电机的能效和输出性能。
3. 汽车电子: 适用于汽车内部配件，如电动窗、座椅调节器及照明控制等系统，能够在高温和高电流条件下稳定工作。
4. 工业自动化: 在机器人、工业控制器和其他自动化设备中，提供可靠的功率开关。

总结

SQD50P06-15L_GE3 是一款综合性能优异且应用广泛的 P 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和广泛的工作温度范围，它在现代电气和电子设计中展现出强大的灵活性和可靠性。无论是在高功率电源管理，还是在工业和汽车电子领域，这款 MOSFET 都能为设计师提供高效、稳定的解决方案。