型号:

AON6236

品牌:AOS
封装:DFN5x6-8L
批次:-
包装:编带
重量:0.3g
其他:
AON6236 产品实物图片
AON6236 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 4.2W 40V 19A 1个N沟道 DFN-8(5.6x5.2)
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.4mΩ@4.5V,20A
功率(Pd)39W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.225nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)26.5pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

AON6236 产品概述

AON6236是一款高性能的N沟道MOSFET,专为满足现代电子设备的功率管理需求而设计。该器件在多个关键参数上表现突出,适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率控制的应用场合。以下是该产品的详细技术规格和应用分析。

1. 技术规格

  • 额定功率: AON6236能够承受最高4.2W的功率损耗,这使其在高负载条件下依然能保持良好的工作稳定性。
  • 最大电压: 其最大耐受电压为40V,适合于中等电压应用。此特性使得该器件能在多种工作环境下保持安全、可靠的操作。
  • 最大电流: AON6236支持的最大连续工作电流为19A,提供强大的驱动能力。这一特性在电机控制和快速开关应用中尤为重要。
  • 封装形式: 采用DFN-8封装(尺寸为5.6mm x 5.2mm),该封装设计充分考虑了空间的利用和热管理性能,便于在小体积的电路板上进行高密度布局。

2. 性能优势

AON6236的设计以及生产过程采用了高质量的材料,使得其具有一系列优于竞争产品的性能特点:

  • 低导通电阻: 该器件具有较低的导通电阻(R_DS(on)),减少了在导通状态下的功率损耗,提高了能效,适应更为严苛的高频或高效率应用。
  • 快速开关特性: AON6236支持快速开关,能够有效地减少开关损耗,其高频特性使得该器件在高频转换器中表现尤为优异,提升整体功率效率及温度控制。
  • 优越的热管理: DFN-8封装提供了良好的热 dissipation 路径,确保在长时间工作和高负载条件下,器件的温度保持在安全范围内。

3. 应用场景

考虑到其技术规格和性能优势,AON6236在多个应用场景中展现出巨大的潜力和灵活性:

  • 开关电源(SMPS): 在这种应用中,AON6236可以作为开关元件,优化电能传输,同时有效地抑制电损。
  • DC-DC 转换器: 用于各种电源管理系统,转化不同电压水平的电源,AON6236提供了高效的电压转换,并在不同工作模式下保持稳定性能。
  • 电机驱动: 由于其高电流承受能力,AON6236可以用于驱动直流电机,尤其是在需要快速启动和停止的控制系统中显示出色的响应特性。
  • LED驱动: 适用于LED照明系统的驱动电路,确保以高效的方式提供所需的电流和电压,而不会导致过热或能效损失。

4. 综述

作为一款高效能的N沟道MOSFET,AON6236不仅在技术规格上展现了优秀的性能,同时其紧凑的封装形式和优越的热管理能力使其在多种应用场景中极具竞争力。不断发展的电子产品市场要求元器件具备更高的功率密度、高效率和灵活性,AON6236的设计正是在应对这些挑战。无论是在开关电源、DC-DC转换器,还是在电机驱动等领域,AON6236均展示出其无可比拟的优势与应用前景,成为电子设计工程师的优选器件。