SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3 产品概述

一、基本信息

SIR836DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效率和低功耗应用设计。该器件的漏源电压（Vdss）为 40V，最大连续漏极电流（Id）可达 21A（在 25°C 下），使其适用于多种电子电路，特别是在需要较高电流和电压的情况下。该 MOSFET 的设计兼顾了低导通电阻（Rds On）和高功率耗散能力，展现出极佳的电气性能。

二、结构和性能参数

SIR836DP-T1-GE3 属于金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）技术，其核心特性包括：

• 漏源电压 (Vdss)：40V，适用于中低电压电源管理电路。
• 连续漏极电流 (Id)：21A (Tc)，提供强大的输出能力，可以满足实际应用中的高电流需求。
• 栅源阈值电压 (Vgs(th))：2.5V @ 250µA，这表示当栅极电压达到此值时，MOSFET 开始导通，具有较好的开关特性。
• 导通电阻 (Rds On)：19 mΩ @ 10A, 10V，表明在额定电流下，该器件提供了低的电阻，能有效降低功耗和发热。
• 最大功率耗散：在环境温度 25°C 时，器件的最大功率耗散为 15.6W（在晶体管壳体温度下）。当在更高温度下利用，最大功率耗散为 3.9W（在 25°C 环境温度下）。

三、应用范围

SIR836DP-T1-GE3 的设计使其能够被广泛应用于以下场景：

1. 电源管理：该MOSFET可以用于开关电源、DC-DC 转换器、LDO（线性稳压器）等电源管理电路中，有效提升能量转换效率。
2. 马达驱动：在马达控制电路中，凭借其高电流承载能力，可以有效驱动各种小型电机。
3. 直流电机驱动器：因具备快速开关特性和低导通电阻，该器件适用于直流电机的驱动和控制。
4. 电池管理系统：应用在电池充电和功率切换领域中，能够有效管理电池的充电和放电过程。

四、温度范围与安装

该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），极大提高了其在不同工作环境中的适用性。其表面贴装型（SMT）设计允许易于集成到各种电路板上，适合于现代电子设备的小型化趋势。

五、结论

SIR836DP-T1-GE3 的高性能特性包括优秀的电流承载能力、较低的导通电阻以及可靠的热管理能力，使其在多种高性能应用中成为理想选择。VISHAY（威世）作为知名电子元器件制造商，其推广该款 MOSFET 的决策，也是基于市场对高效能、高耐久性器件日益增长的需求。凭借其广泛的应用场景及优异的电气性能，SIR836DP-T1-GE3 将为设计者和工程师在电源管理、马达控制等领域提供有力支持。