PSMN4R0-40YS,115 产品概述
一、产品简介
PSMN4R0-40YS,115 是由全球领先的半导体供应商 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该产品以其出色的电气特性和高效的热管理能力，尤其适合在高效能电源管理、逆变器、电机驱动和其他功率转换应用中发挥关键作用。
二、主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 40V
- 连续漏极电流（Id）: 100A @ 25°C，Tc
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 4.2mΩ @ 15A，10V
- 最大功率耗散（Pd）: 106W @ Ta=25°C，Tc
- 最大栅极电压（Vgs）: ±20V
- 栅极电荷 (Qg): 38nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 2410pF @ 20V
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 封装类型: LFPAK56 和 Power-SO8
三、应用场景
PSMN4R0-40YS,115 适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
电源管理: 在开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，这款 MOSFET 可用作主开关或辅助开关，以实现高效能的电能转换。
功率放大器: 在射频应用和音频放大器中的功率级中，PSMN4R0-40YS,115 的低导通电阻有助于降低热耗散，提高设备的整体效率。
电机驱动: 在电动机控制系统中，该 MOSFET 用于实现电流的快速切换，为电机提供精确的控制。
逆变器: 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，具备高频开关特性及低导通损耗特性的 PSN4R0-40YS,115 可以有效提升效率，延长系统使用寿命。
四、优越的性能特征
低导通电阻: 4.2mΩ 的低 Rds(on) 特性使得 PSN4R0-40YS,115 在满载时具有极低的功耗，从而减少热量产生。
高电流承载能力: 在 25°C 的环境温度下，该器件能够承载高达 100A 的连续漏极电流，非常适合高负荷场合。
宽工作温度范围: 适应 -55°C 到 175°C 的广泛工作温度使得该 MOSFET 可以在各种严苛的工作环境中保持稳定性能。
优良的热稳定性: 最大功率耗散达到 106W，确保了在持续高负荷下仍能保持良好的散热性能。
五、封装与安装
PSMN4R0-40YS,115 提供 LFPAK56 和 Power-SO8 封装选项，其中 LFPAK56 表面贴装设计可显著节省电路板空间，同时增强热管理能力。这些封装设计使得产品易于集成和焊接，适合于现代电子产品的紧凑布局。
六、总结
综上所述，PSMN4R0-40YS,115 是一款性能卓越、可靠性高的 N 沟道 MOSFET，以其出色的电气与热特性而闻名，适用于广泛的工业和汽车电子应用。无论在高效能电源设计还是在苛刻环境中的应用，该器件都表现出色，满足现代电子设备对效率与尺寸的苛刻要求。对于寻求高效、低损耗解决方案的设计工程师，PSMN4R0-40YS,115 将是一个理想的选择。