型号:

2SAR552P5T100

品牌:ROHM(罗姆)
封装:MPT3(SOT-89)
批次:24+
包装:编带
重量:1g
其他:
2SAR552P5T100 产品实物图片
2SAR552P5T100 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 30V 3A PNP SOT-89-3
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.553
1000+
0.499
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@500mA,2V
特征频率(fT)330MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@1A,50mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2SAR552P5T100 PNP晶体管

一、产品简介

2SAR552P5T100是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产。该晶体管以其卓越的电流承载能力、高增益和广泛的工作温度范围,广泛应用于各种电子电路中,如功率放大器、开关电路及线性调节器等。其典型的应用场景包括消费电子、工业控制、通信设备等领域,满足现代电子设计对于元器件高效能与热稳定性的需求。

二、技术参数及特点

  1. 电流与电压特性: 2SAR552P5T100的最大集电极电流(Ic)为3A,能够满足高功率应用的需求。同时,其最大集射极击穿电压(Vce)为30V,在大多数模拟和数字电路中提供了足够的安全余量。该晶体管在额定工作电压下,表现良好的截止电流,最大值为1µA(ICBO),极大减少了漏电流的影响。

  2. 饱和压降表现: 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,Vce的最大饱和压降为400mV(在50mA和1A条件下测得),这对于需要低功耗和高效率的应用尤为重要,确保设备在高负载条件下依然能够保持较高的效率。

  3. 增益特性: 该器件在500mA时,具有不低于200的直流电流增益(hFE),意味着在开关和放大模式下均能提供良好的驱动能力。例如,在音频放大和开关控制电路中,这一增益特性保证了信号处理的准确性和稳定性。

  4. 功率处理能力: 2SAR552P5T100的最大功率为500mW,适合用于需要较大功率处理的外围电路设计,能够为设计师提供充足的灵活性以应对各种电气负载的需求。

  5. 频率响应: 该晶体管的跃迁频率为330MHz,意味着在高频应用中亦表现出色,适合于通信设备及信号放大应用,能够有效处理高速开关信号。

  6. 温度适应性: 工作温度范围可达150°C,使其适用于高温环境下的应用,特别是在工业和汽车电子等领域,对于提高产品可靠性和稳定性至关重要。

  7. 安装与封装: 2SAR552P5T100采用表面贴装(SMD)型封装MPT3(TO-243AA),有助于节省PCB空间,适合现代小型化设备的设计需求。其优良的散热特性减小了因温升导致的功率损耗和失效风险。

三、应用领域

由于其出色的电气性能,2SAR552P5T100适合用于多种应用场合:

  • 音频功率放大器:在音频设备中,能够作为输出级放大器,确保高质量的音频传输。
  • 开关电路:能够高效地控制较高电流的负载,特别适用于电力驱动开关控制。
  • 电源管理:广泛应用于线性调节器和DC-DC转换器,支持高效的电源管理解决方案。
  • 信号处理:适用于现代通信设备及其他要求快速响应及高增益的信号处理模块。

四、总结

2SAR552P5T100是一个兼具高性能和高可靠性的PNP晶体管,凭借其出众的电流和电压特性、良好的线性增益和热稳定性,成为电子设计师的理想选择。通过合理的电路设计,能够充分发挥其特性,满足各种复杂应用的需求,是提升电子产品性能与能效的不二之选。选择ROHM的2SAR552P5T100,将为您的设计带来新的可能性。