型号:

BSS138TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
BSS138TA 产品实物图片
BSS138TA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
7124
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.514
200+
0.331
1500+
0.288
3000+
0.255
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,220mA
功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)50pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

BSS138TA 产品概述

产品概述

BSS138TA 是一款高性能 N 通道 MOSFET,专为各种电子应用设计,该元器件按照 TO-236-3 和 SOT-23-3 封装标准制成,具有优异的电气特性和可靠性。该 MOSFET 适用于许多领域,包括但不限于开关电源、功率管理、电机控制及其他自动化应用。凭借其较高的漏源极电压 (Vdss) 和连续漏极电流 (Id),BSS138TA 在各种条件下表现出色,适合于便携式和消费电子产品。

关键参数

  • 封装类型: SOT-23-3 / TO-236-3 / SC-59
  • FET 类型: N沟道 MOSFET
  • 漏源极电压 (Vdss): 50V
  • 栅源电压 (Vgss): ±20V
  • 连续漏极电流 (Id): 200mA (在 25°C 工作环境下)
  • 驱动电压 (Vgs 开启): 10V (最小导通电阻条件下的操作电压)
  • 最大导通电阻 (Rds(on)): 3.5Ω @ 220mA, 10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.5V @ 250µA
  • 输入电容 (Ciss): 最大 50pF @ 10V
  • 功率耗散 (Pd): 最大 300mW (在25°C环境)
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C

技术特性

BSS138TA 作为一种 N 通道 MOSFET,其特性使其在开关应用中具有优异的性能。低阈值电压 (Vgs(th)) 确保在较低的门电压下也能有效开启,适合与多种逻辑电平兼容的电路配合使用。高达 50V 的漏源极电压表明该设备能够承受较高的电压而不发生故障,这使得其在高电压应用中用途广泛。

该元器件的高导通电流能力(200mA)为各种负载供电提供了灵活性,能够有效处理高频率的开关操作。此外,其低 Rds(on) 和低输入电容 (Ciss) 特性有助于提高开关效率、降低热损耗。

应用场景

BSS138TA广泛应用于电源管理、负载开关、线性调节器、电机驱动和其他高频开关电路。由于其广泛的工作温度范围和高强度性能,这款 MOSFET 也非常适合用于航空航天、汽车和工业市场中的要求严格的应用。也因其小尺寸封装(如 SOT-23-3),适合于需要节省空间的 PCB 布局设计。

使用与设计建议

在设计中使用 BSS138TA 时,应考虑其栅源电压和漏源极电压的限制。特别是在高负荷和高功率的应用中,采用适当的散热措施以避免超过其最大功率耗散是至关重要的。在高频应用中,确保信号干扰最小化和焊接工艺的准确性,保证 MOSFET 的长久稳定使用。此外,虽然 BSS138TA 在低电流和低电压情况下表现优异,但在进行特殊设计时,应保持在推荐的工作参数范围内,以确保性能和可靠性的平衡。

总结

BSS138TA N 通道 MOSFET 是一款高度可靠和性能优越的电子元件,其适合广泛的应用场景,能够满足现代电子设计的需求。其出色的电气性能、宽广工作温度范围以及紧凑封装,使其成为设计工程师和应用开发者的理想选择。无论是在消费电子、工业应用还是高端自动化设备中,BSS138TA 都能提供出色的性能和可靠的解决方案。