STF16N65M2

STF16N65M2 产品概述

1. 产品简介

STF16N65M2 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，具备650V的漏源电压能力，广泛应用于高压和高效能的电力转换及管理系统。该器件采用 TO-220FP 封装，适合中高功率等级的应用，如开关电源、电机驱动、照明和逆变器等。

2. 关键参数

• 最大漏源电压（Vdss）：650V
• 最大连续漏极电流（Id）：11A（在特定的工作条件下）
• 导通电阻（Rds On，最大值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 最大功率耗散：25W（在 Tc 环境下）
• 栅极电压最大值（Vgs）：±25V
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 输入电容（Ciss）最大值：718pF @ 100V, 25°C
• 栅极电荷（Qg）最大值：19.5nC @ 10V
• 阈值电压（Vgs(th），最大值）：4V @ 250µA

3. 结构特性

STF16N65M2 采用传统的金属氧化物半导体（MOSFET）结构，具备优良的开关特性和导通性能。N 通道设计能够提供最低的导通电阻，确保在大电流工作状态下的高效率。该器件的 TO-220FP 封装选用金属基座，提供良好的散热性能，适合散热要求较高的应用场合。

4. 应用领域

由于 STF16N65M2 的高压能力和优秀的导通性能，该 MOSFET 可被广泛应用于以下领域：

• 开关电源(SMPS)：用于电源适配器、交流-直流转换器等，为系统提供稳定的电源输出。
• 电机驱动：在工业自动化、家用电器和电动车辆中，有效驱动各种类型的电机。
• 逆变器：在太阳能逆变器和电能存储系统中，确保高效率的能量转换和管理。
• 照明：用于LED灯具驱动电路，提高光源的工作效率和亮度。

5. 性能优势

STF16N65M2 的设计使其在严格的温度和电流条件下仍能保持出色的性能：

• 高功率密度：能够在小型化的设计中处理高功率，降低设计的整体尺寸。
• 高效率：低导通电阻即小的电能损耗，能有效提高设备的能效，应对高频开关需求。
• 热稳定性：广泛的工作温度范围使其适用于各种环境，能在严酷条件下正常工作。

6. 结论

STF16N65M2 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，专为满足现代电力电子设备的需求而设计。其优秀的电气参数和散热性能使其在高压和高功率应用中表现出色，成为电子工程师的不二选择。无论是在开发新项目还是升级现有系统，STF16N65M2 都能够提供卓越的电力控制和转换能力，确保产品的长期稳定性和可靠性。

如需更详细的技术资料或支持，请咨询意法半导体的专业团队或访问其官方网站。