型号:

RTL035N03TR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:TUMT6
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
RTL035N03TR 产品实物图片
RTL035N03TR 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.5A 1个N沟道 TUMT6
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)56mΩ@3.5A,4.5V
功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)350pF@10V

产品概述:RTL035N03TR N沟道MOSFET

一、产品简介

RTL035N03TR是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),采用6-SMD封装,专为各种电子设备的高效能开关和放大应用而设计。该器件由知名品牌ROHM(罗姆)制造,提供卓越的电流处理能力和高效的导通性能,广泛应用于电源管理、驳接、马达驱动及其他多种电子电路中。

二、主要特性

  1. 电气特性

    • 漏源极电压(Vdss):30V,适合多种中低压电源应用。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,最大可达3.5A,保证了器件在高负载条件下的可靠性。
    • 栅源电压(Vgss):最大为12V,能够兼容多种控制电路,包括PWM信号输入。
    • 导通电阻(Rds(on)):最大值为56毫欧,尤其在4.5V和3.5A时,能够有效降低能量损耗,提高系统整体效率。
    • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为1.5V,使得在较低栅电压下即可实现良好的开关性能,有助于产品小型化设计。
  2. 静态和动态特性

    • 输入电容(Ciss):最大值为350pF,保证高频开关能力,支持高效驱动电路的设计。
    • 栅极电荷(Qg):最大值为6.4nC,表明其在开关时的快速响应特性,适合高频应用。
    • 功率耗散(Pd):额定最大功耗可达1W,通过有效的散热设计可稳定工作在较高的环境温度下。
  3. 工作环境

    • 工作温度范围:能够承受高达150°C的结温,即使在极限条件下依然保持良好的性能,适合高温环境下的应用。

三、封装与安装

RTL035N03TR采用TUMT6封装,设计为6-SMD类型,表面贴装(SMT)安装方式简化了产品的组装过程,适用于自动化生产线。TUMT6封装的紧凑设计助力PCB布局的优化,提高整体系统的设计灵活性。

四、应用场景

该MOSFET适用于多种电子设备和电路,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS):在DC-DC变换器和AC-DC适配器中作为主开关管,实现高效能的电力变换。
  • 马达驱动:可用于小型直流电机的驱动,同时也适合PWM控制的应用。
  • 功率管理:在电源管理IC中作为负载开关,保障电源的稳定性和灵活控制。
  • LED驱动:在LED驱动电路中,保证高效且稳定的LED照明解决方案。

五、总结

RTL035N03TR N沟道MOSFET结合了一系列优越的电气特性和高温工作能力,为各种现代电子应用提供了理想的开关解决方案。无论是在日常家电、消费电子还是工业自动化设备中,其出色的性能与广泛的适用性都使其成为设计师首选的关键元件。通过合理的电路设计和合理利用该MOSFET的特性,客户可以大幅度提升产品的性能和能效,为市场竞争提供扎实的技术支持。