型号:

DMP3036SSD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:22+
包装:编带
重量:0.248g
其他:
DMP3036SSD-13 产品实物图片
DMP3036SSD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 10.6A 2个P沟道 SO-8
库存数量
库存:
35
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.14
2500+
1.08
产品参数
属性参数值
类型2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,18.0A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.5nC
输入电容(Ciss@Vds)1.931nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)168pF
工作温度-55℃~+150℃

DMP3036SSD-13 产品概述

产品简介

DMP3036SSD-13 是一款高性能的双 P 沟道场效应管 (MOSFET),被广泛应用于各种电子设备中,这款器件来自国际知名品牌 DIODES(美台),采用表面贴装型设计,封装为 SO-8,具有良好的散热性能和较小的占用空间,非常适合现代紧凑型电子产品设计。

主要参数

  • 工作电压:该 MOSFET 的漏源电压(Vdss)为 30V,能够在相对较低的电压条件下稳定工作,适用于低压电源应用。
  • 持续漏极电流:其在 25°C 环境下可支持最大持续漏极电流 (Id) 达 10.6A,配合其低导通电阻特性,使得此器件在高电流应用时也能够保持较低的发热。
  • 导通电阻:在 9A 和 10V 的条件下,该 MOSFET 的导通电阻最大值为 20 毫欧,这意味着在实际应用中可以实现优良的传导效率,降低能量损耗,提高系统的整体效率。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)):不同 Id 时的 Vgs(th) 最大值为 3V @ 250µA,这使得该器件具备较好的逻辑电平控制特性,能够方便地与微控制器等数字系统直接连接。
  • 栅极电荷 (Qg):该器件在 10V 的栅极驱动条件下,最大栅极电荷为 16.5nC,表明其在开关操作中具有快速响应特性,适合高频率开关电源和 PWM 控制应用。
  • 输入电容 (Ciss):在 15V 的条件下,输入电容最大值为 1931pF,能够在开关过程中保持良好的开关速度,减少延迟。

应用领域

DMP3036SSD-13 的设计使其在多个市场领域具有广泛的应用潜力:

  1. 开关电源:作为高频开关元件,DMP3036SSD-13 能够有效降低能量损耗,适用于各种开关电源电路。
  2. 电池管理系统:由于其低导通电阻和较高的持续电流能力,可以有效提高电池的工作效率,广泛应用于便携式电子设备的电池保护电路中。
  3. 电机驱动:在电机驱动控制电路中可用作开关元件,以保障电机驱动的高效和稳定。
  4. LED 驱动:该元件在 LED 驱动电路中的应用,可以提高 LED 的亮度和使用寿命。

工作温度与可靠性

DMP3036SSD-13 可在 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围内运行,适合各种恶劣环境下的应用,突显出该器件的可靠性和耐久性。这一特性使其在工业自动化、电信和汽车电子等要求苛刻的领域尤其受欢迎。

总结

整体而言,DMP3036SSD-13 是一款设计精良、性能优越的双 P 沟道 MOSFET,适合多种高效能应用。凭借其低导通电阻、较高的电流承载能力以及宽广的工作温度范围,该器件为电子设计工程师提供了极大的设计灵活性。DIODES 这一品牌在市场上的良好声誉和质量保证,为使用该器件的产品可靠性提供了保障。无论是在开关电源、电源管理还是电动驱动系统 中,DMP3036SSD-13 都能够满足现代电气与电子需求的挑战。