描述：场效应管(MOSFET) 300mW 30V 380mA 1个N沟道 SOT-323
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8Ω@10V,250mA
功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)900pC@10V
输入电容(Ciss@Vds)23.2pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)2.2pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
DMN63D8LW-13 产品概述
产品简介
DMN63D8LW-13是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为低功耗和高频率应用而设计。其额定漏源电压为30V，连续漏极电流达到380mA，适合多种电子电路和系统的需求。该器件采用SOT-323封装，这使得其能够在紧凑的空间内实现高效的电路设计，特别适用于移动设备、消费电子、以及电源管理系统中。
关键特性
- FET类型: N通道
- 技术类型: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 380mA（在25°C环境温度下）
- 栅极驱动电压: 2.5V至10V，提供灵活性以适应不同的驱动需求
- 导通电阻（Rds On）: 最大值为2.8Ω，测试条件为10V和250mA，确保低功率损耗
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1.5V，适合低电压操作
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为0.9nC，表现出良好的开关特性
- 输入电容（Ciss）: 最大值为23.2pF，寄生效应较小，适合高速开关应用
- 功率耗散: 最大300mW，助力提高系统可靠性
- 工作温度范围: -55°C至150°C，宽广的温度适应性使其在极端环境中也能正常工作
- 安装类型: 表面贴装型（SMD），支持自动化贴装工艺
- 封装类型: SOT-323，适合小型化设计
应用场景
DMN63D8LW-13广泛应用于各类电子产品，特别适用于以下领域：
- 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑等，由于其高频率和低功耗特性特别适合于电池供电的设备。
- 电源管理: 包括DC-DC变换器、LED驱动电源和其他电源管理模块，利用其低导通电阻来提高系统的能效。
- 开关电路: 在各种开关电路中，可用于高效控制和开关负载，尤其是小型电机和继电器驱动。
- 汽车电子: 鉴于其宽广的工作温度范围，该器件在汽车电子控制单元中也有广泛应用。
性能优势
DMN63D8LW-13凭借其出色的电性能和工作可靠性，成为了许多设计工程师的首选。其额定电流和电压使得该MOSFET具有良好的适应性，同时在高速开关操作中，其低Rds On与小Qg特性显著降低了开关损耗，提升了整体效率。此外，广泛的工作温度范围和优秀的热管理能力，确保该器件在各种环境下均能稳定工作。
结论
综合来看，DMN63D8LW-13是一款多功能、高性能的N沟道MOSFET，设备的灵活性和适用性使其在现代电子产品中具备广泛的应用前景。无论是在消费电子、功率管理还是汽车电子中，该器件都能带来显著的效益，为电子产品设计提供强有力的支持。此产品是追求高效能、低功耗解决方案的设计师的理想选择。