型号:

DMG1026UV-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT563
批次:23+
包装:编带
重量:0.011g
其他:
DMG1026UV-7 产品实物图片
DMG1026UV-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 580mW 60V 410mA 2个N沟道 SOT-563
库存数量
库存:
2848
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.919
200+
0.707
1500+
0.615
3000+
0.572
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)410mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.8Ω@10V,440mA
功率(Pd)580mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)450pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)32pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)2.9pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DMG1026UV-7

DMG1026UV-7是由DIODES(美台)公司制造的一款高性能2N沟道场效应管(MOSFET),特别适用于低电压和低功率应用。其设计考虑到了高效能与宽温范围的需求,使其在各种苛刻环境下表现出色。该产品广泛应用于消费类电子、计算机、通讯设备及汽车电气系统等领域。

一、基础参数

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化贴片和现代电路板的紧凑设计,节省空间。
  • 封装:SOT-563,这种小型封装不仅减小了电路板面积,还改善了散热特性。

二、电气特性

  • 最大漏极电流(Id):410mA,适合用于中低功率应用,可以承受较高的电流负载。
  • 漏源电压(Vdss):60V,适合于一般低压开关应用,提供了足够的额定电压以应对正常工作条件。
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.8欧姆 @ 500mA, 10V,这一特性保证了在高电流条件下的低损耗,有助于提升整体电路效率。
  • 输入电容(Ciss):32pF @ 25V,低电容特性使得在开关频率较高的应用中表现出色,加速了开关响应。
  • 栅极电荷(Qg):0.45nC @ 10V,较低的栅极电荷使得其在驱动上更为高效,适合快速开关电路。
  • 门阈电压(Vgs(th)):1.8V @ 250µA,逻辑电平门的设计使得在逻辑电平信号下也能够正常工作。

三、工作环境

  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ),极宽的工作温度范围使该器件适合于要求严苛的环境,包括高温和低温应用场景。
  • 功率最大值:580mW,确保产品在连续电流或脉冲电流下的可稳态工作,适合多种电源管理与开关电路。

四、主要应用

DMG1026UV-7因其优良的电气性能,适合以下应用场合:

  • 电源管理:在电源转换、稳压和开关电源中作为开关元件。
  • LED驱动:在LED驱动电路中,作为开关元件以实现高效的电流控制。
  • 通讯设备:作为信号开关,在通信模块和基站等设备中实现信号的开和关控制。
  • 汽车应用:由于其广泛的工作温度范围和可靠性,适合用于汽车电子系统中的各种开关应用。

五、总结

DMG1026UV-7 MOSFET是一款用于广泛电气应用的高性能、可靠性强的器件。其小型化表面贴装封装与优异的电气门特性相结合,为现代电子产品设计带来了更多的灵活性和高效性。凭借其低导通电阻、高频性能及广泛的工作温度范围,DMG1026UV-7在电源管理、LED驱动及汽车电子等领域都有着极其重要的应用价值。选择DMG1026UV-7,即是选择了一款高效、可靠的电子元器件解决方案。