型号:

DTD113ZUT106

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT3
批次:5年内
包装:编带
重量:-
其他:
DTD113ZUT106 产品实物图片
DTD113ZUT106 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.386
3000+
0.362
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)82@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)300mV@100uA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@50mA,2.5mA
输入电阻1kΩ
电阻比率10
工作温度-55℃~+150℃

DTD113ZUT106 产品概述

概述

DTD113ZUT106 是一款由日本罗姆(ROHM)公司生产的数字晶体管,属于NPN-预偏压类型。该器件封装为SOT-323(UMT3),适合表面贴装技术(SMD),广泛应用于低功耗电子电路中,尤其是在数字和模拟信号处理相关的应用场景。

主要特性

  1. 安装类型

    • 该晶体管为表面贴装型,适用于现代紧凑型电路设计,便于自动化焊接和批量生产,提高了生产效率。
  2. 电流与电压特性

    • 集电极电流 (Ic):最大值为500mA,程度上满足了多种低功耗应用的需求。
    • 集电极截止电流:最大值为500nA,表明其在关断状态下的漏电流极低,适合于对功耗敏感的电路。
    • 集射极击穿电压:最大值为50V,这使得DTD113ZUT106能够适应一定电压环境下的工作要求。
  3. 饱和压降

    • 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,Vce饱和压降为300mV(在2.5mA和50mA下),确保了低功耗的特性,适合用于开关模式电路。
  4. 增益特性

    • DC电流增益 (hFE) 的最小值为82,针对50mA和5V的条件,这一增益值保证了该晶体管在低电流条件下的可靠性,适用于多种小信号放大和开关应用。
  5. 功率及频率特性

    • 最大功率为200mW,支持较高的功率输出同时又有良好的热管理性能。
    • 频率跃迁达到200MHz,适合高速数字电路和开关应用,展现了良好的开关速度和频率响应特性。
  6. 外部电阻

    • 基极电阻(R1)为1kΩ,发射极电阻(R2)为10kΩ,设定了合适的偏置状态,使得晶体管在正常工作条件下能够稳定工作。

应用场景

DTD113ZUT106 由于其良好的性能参数和紧凑封装,非常适合以下应用场景:

  • 数字电路:用于各种数字电路中的输入/输出开关,能够快速响应信号变化,满足大多数应用对速度的需求。
  • 信号放大:在音频信号处理,射频电路和视频信号传输应用中作为小信号放大器,提升信号质量。
  • 功率管理:用于电源管理电路中,实现高效的开关调节与功率分配。
  • 小型设备:广泛应用于便携设备、家庭自动化、物联网设备等,凭借小型封装与优异的电特性,适配紧凑空间的设计需求。

结论

总之,DTD113ZUT106 是一款具备优秀电性能的NPN数字晶体管,适合多种低功耗、高速度的电子应用。它的设计使其能在各种环境下稳定工作,同时在紧凑的设计中占据极小的物理空间,是现代电子设备设计中理想的选择。ROHM凭借其在半导体行业的深厚技术积累和精湛工艺,为客户提供了可靠的产品支持,确保每个应用场景都能获得最佳的性能表现。