型号:

DTC123JMT2L

品牌:ROHM(罗姆)
封装:VMT3(SOT-723)
批次:5年内
包装:编带
重量:-
其他:
DTC123JMT2L 产品实物图片
DTC123JMT2L 一小时发货
描述:晶体管-双极-BJT-单-预偏置-NPN-预偏压-50V-100mA-250MHz-150mW-表面贴装型-VMT3
库存数量
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最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.114
8000+
0.094
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.1V@5mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@5mA,0.25mA
输入电阻2.2kΩ
电阻比率21
工作温度-40℃~+150℃

产品概述:DTC123JMT2L

1. 产品基本信息

DTC123JMT2L是一款由ROHM(罗姆)电子公司生产的高性能NPN双极晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,型号为VMT3(SOT-723)。该产品非常适合在高频和小型化电子设备中使用,如便携式设备、通信设备及其他多种应用场景。

2. 主要特性和规格

DTC123JMT2L的主要电气特性如下:

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化生产及提升安装密度。
  • 集电极电流(Ic)最大值:100mA,适合中小电流的信号放大应用。
  • 集电极截止电流(Io)最大值:500nA,尤其适合低功耗电路。
  • 集射极击穿电压(Vceo)最大值:50V,保证在高电压条件下的稳定操作。
  • 饱和压降(Vce(sat))最大值:在多种工作条件下,最大值为300mV @ 250µA,5mA,意味着在负载条件下能保持较低的功耗。
  • 基极电阻(R1):2.2 kOhms,适用于各种偏置电路设计。
  • 发射极电阻(R2):47 kOhms,可以灵活设定增益和稳定性。
  • 频率跃迁(fT):250MHz,适合高频开关应用,能够提高开关速度。
  • 功率额定值:150mW,满足一般电路要求,同时保持温控稳定性。
  • 直流电流增益(hFE):在Ic=10mA,Vce=5V时,最小增益为80,适合低放大倍数应用。

3. 应用领域

DTC123JMT2L由于其卓越的电气性能,广泛应用于以下领域:

  • 便携式电子设备:因其较小的封装和低功耗特性,它非常适合手机、平板电脑等便携设备。
  • 数据通信设备:高频性能和高电流增益使得该晶体管在数据传输设备中表现出色,如调制解调器、网络交换机等。
  • 音频/视频设备:适合用于放大器和音频信号传输电路。
  • 工业控制:可用于信号开关和控制电路,如电机控制及传感器接口。

4. 性能优势

  • 高频特性:高达250MHz的跃迁频率,使其能够在高频应用中稳定工作,适合快速开关电路。
  • 低饱和压降:300mV的饱和压降保证了较低的功耗,有助于增加电路的能效和降低热量生成。
  • 电流增益:最小直流电流增益(hFE)为80,确保在小信号操作时也能保持良好的放大性能。

5. 封装与兼容性

VMT3(SOT-723)封装的设计大大节省了电路板空间,适合当今小型化设计的趋势。同时,该元器件还可以与市面上其他型号(如同系列的晶体管)进行互换与组装,有助于简化设计和生产流程。

6. 总结

总体而言,DTC123JMT2L是一款集优质性能、高可靠性和小型化于一身的NPN晶体管,是各种电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在音频放大、信号调制或高频开关中,DTC123JMT2L都能提供出色的性能表现和优秀的适应性。ROHM的品牌也为产品的可靠性与持续支持提供了有力保证,使其成为设计工程师的优越选择。