SI7155DP-T1-GE3

产品概述：SI7155DP-T1-GE3 P沟道MOSFET

基本信息

SI7155DP-T1-GE3是由威世(VISHAY)公司推出的一款先进的P沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其采用了TrenchFET®技术，旨在满足高效能和高可靠性的电子应用需求。这款器件的主要参数使其非常适合于电源管理、开关电源和其他高功率密度的应用。

技术规格

• FET类型: P通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 40V，适合低压和中压应用
• 连续漏极电流（Id）:
  • 31A（在室温下，Ta = 25°C）
  • 100A（在晶体管结温下，Tc = 150°C）
• 驱动电压（Vgs）:
  • 最大Rds On时的驱动电压为4.5V到10V，能够与许多逻辑电平兼容
• 导通电阻（Rds(on)）: 不同Id、Vgs下的最大值为3.6毫欧（在10V和20A下），确保其在高电流条件下的有效能量损耗管理
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在250μA条件下最大值为2.3V，确保其在较低的电压下即能导通，有助于降低开关损耗
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为330nC（在10V下），使其在高频开关应用中具有更快的响应速度
• 最大Vgs: ±20V，适应广泛的栅极驱动电压
• 输入电容（Ciss）: 最大值为12900pF（在20V下），能有效减小开关时间及对驱动电路的负担
• 功率耗散: 最大为6.25W（Ta），104W（Tc），为高功率应用提供可靠的温升控制
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适应极端环境

封装与安装

该产品采用表面贴装型封装，型号为PowerPAK® SO-8，这种封装设计旨在有效降低热阻并优化热管理。通过改进的热性能，SI7155DP-T1-GE3能够在高功率和高密度的电路板设计中获得理想的散热效果。

应用领域

由于其卓越的性能特点，SI7155DP-T1-GE3广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电子电路中，例如：

1. 电源管理: 用于开关电源、DC-DC 转换器及其他电源模块，以提高能效和降低功率损耗。
2. 电机驱动: 在工业自动化设备和消费电子产品中，作为电机驱动器的开关元件，有效控制电机的启动、停止和调速。
3. 电池管理系统: 在电动汽车及可再生能源储存系统中，作为高功率开关，控制电池的充放电过程。
4. LED照明: 在LED驱动电路中，实现高效率的调光和开关控制。
5. 消费电子产品: 用于各种消费类电子设备提供高性能开关控制。

总结

总的来说，SI7155DP-T1-GE3 P沟道MOSFET凭借其优异的电气性能、宽广的工作温度范围及高效的热管理能力，为各种电源管理及开关应用提供了理想的解决方案。得益于威世公司的高标准制造工艺，这款MOSFET在市场上具有良好的信誉和可靠性，是工程师在设计高效电源系统时的理想选择。