型号:

UMX4NTR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT6
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
UMX4NTR 产品实物图片
UMX4NTR 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 20V 50mA NPN UMT-6
库存数量
库存:
2548
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.478
200+
0.308
1500+
0.268
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)50mA
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)56@10mA,10V
特征频率(fT)1.5GHz
集电极截止电流(Icbo)500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@20mA,4mA
工作温度-55℃~+150℃

UMX4NTR 产品概述

UMX4NTR是一款高效率的NPN型双晶体管(BJT),由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产。其设计目标是满足当今电子设备对高性能、小尺寸组件的需求,广泛应用于通信、消费电子、工业控制等领域。以下是UMX4NTR的详细规格及特点。

1. 主要规格

  • 晶体管类型: UMX4NTR是一款双NPN型晶体管,由两个NPN晶体管组成,方便集成以及在各种电路中进行多级放大。
  • 最大集电极电流(Ic): 50mA,适用于低功率应用场景。
  • 集射极击穿电压(Vce): 20V,确保在较高电压条件下的可靠工作。
  • Vce饱和压降: 在4mA到20mA电流范围内,最大饱和压降为500mV,适合低功率、低噪声电路设计。
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为500nA,表明在非导通状态下,其漏电流极小,能有效降低功耗。
  • 直流电流增益(hFE): 在10mA和10V的条件下,hFE值不少于56,为放大应用提供了足够的增益。
  • 功率最大值: 可承受150mW的最大功率,适用于中小功率的应用环境。
  • 频率响应: 具有高达1.5GHz的跃迁频率,适应高频电路和信号处理要求。
  • 工作温度: 最大结温达150°C,可在恶劣环境下长期稳定工作。
  • 封装类型: UMX4NTR采用表面贴装型UMT6封装,具备小体积、高集成度的优点,便于在现代电子设备中的应用。

2. 应用场景

UMX4NTR广泛适用于以下领域:

  • 消费电子: 在手机、平板电脑及其他便携设备中,可用于信号放大、开关控制等功能,支持更高的集成度和更小的尺寸需求。
  • 数据通信: 适用于无线和有线通信设备的信号处理和放大,例如Wi-Fi模块、蓝牙设备等。
  • 工业控制: 可在自动化设备和控制系统中,用作信号开关和传输,提供可靠的控制反应。
  • 汽车电子: 随着汽车智能化的发展,UMX4NTR也可以用于汽车传感器和执行器控制,提升汽车整体电子系统的性能。

3. 设计优势

UMX4NTR作为一款NPN晶体管,具有以下设计优势:

  • 高效能: 其低饱和压降与高增益特性使得在设计中能够提供卓越的功率效率,减少功耗,延长电池寿命。
  • 可靠性: 具备较高的工作温度和最低的漏电流,提升了系统的稳定性和可靠性。
  • 小型化: UMT6封装不仅减小了占用面积,还有助于改善散热设计。

4. 结论

UMX4NTR是一款性能优越、应用广泛的NPN型双晶体管,凭借其出色的电气特性、可靠性以及小巧的封装,成为了许多现代电子产品设计中的理想选择。在快速发展的电子科技环境中,其出色性能够为各类应用提供有力支持。ROHM凭借多年的技术积累和市场经验,确保了该产品的高质量和高性能,适合对性能和集成度有高度要求的电子设计。