型号:

STD20NF20

品牌:ST(意法半导体)
封装:DPAK
批次:-
包装:编带
重量:0.475g
其他:
STD20NF20 产品实物图片
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描述:场效应管(MOSFET) 110W 200V 18A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@10V,10A
功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)39nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)940pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STD20NF20 产品概述

基本介绍

STD20NF20是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于高压和中高电流应用。该器件由意法半导体(STMicroelectronics)生产,具有卓越的电气特性和可靠性。它的主要参数包括:漏源电压(Vdss)为200V、连续漏极电流(Id)为18A、漏源导通电阻(Rds(on))为125mΩ,并且最大功率耗散为110W。这些特性使其成为各类电子设备、功率管理和电源转换应用的理想选择。

设计特性

  1. 高电压和高电流能力:STD20NF20支持高达200V的漏源电压,非常适合用于高电压环境下的应用,如电源转换器、马达驱动和电源管理模块。其18A的连续漏极电流能力使其在需要较大电流处理时依然表现稳定。

  2. 低导通电阻:该器件的漏源导通电阻在10V栅源电压下为125mΩ,极大地减少了导通损耗,使得在高电流工作情况下,热损耗显著降低,从而提高了系统的整体效率。

  3. 宽阈值电压范围:STD20NF20的栅源极阈值电压Vgs(th)为4V @ 250µA,确保了在适当的栅源电压下迅速开启器件,适应多种驱动电路设计。

  4. 高驱动电压兼容性:在最大Rds(on)下,器件能够在10V的栅源电压下实现充分导通,这限制了对驱动电路的要求,使其能够与多种微控制器和数字信号处理器兼容。

  5. 高温性能:该MOSFET的工作温度范围为-55°C到175°C,适应了严酷的工作环境,保证长时间运行的可靠性。

应用领域

STD20NF20广泛应用于多种电子系统及相关工程领域,主要包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS):该器件用于AC-DC或DC-DC转换中,因其低导通电阻和高效率非常适合高频开关电源。
  • 电机驱动:在电动机控制和驱动应用中,STD20NF20可以有效地作为开关元件,以控制电机的启动、运行和停止。
  • 电池管理系统:在电池供电的设备中,使用该MOSFET可以实现高效的电源开关,减少能量损失,提高电池的使用效能。
  • 逆变器:在太阳能逆变器和其他正弦波逆变器设计中,STD20NF20可用于实现高效的电力转换。
  • 消费电子产品:如LED驱动、电源适配器及便携式电子设备,保证小型化设计的同时提高能效。

封装与安装

STD20NF20采用TO-252-3 (DPAK)封装,具有两个引脚和一个接片,旨在适应表面贴装的需求。这种封装形式不仅能够支持自动化生产线的高效装配,还具有良好的散热性能,适合多种设计方案。

总结

STD20NF20是一款性能强大的N沟道MOSFET,凭借其高电压和高电流等级、低导通电阻和广泛的应用兼容性,极大地促进了现代电子技术的进步。无论是在工业、消费电子,还是汽车电子领域,STD20NF20的使用能够有效提升产品的性能和效率,通过优良的电气特性满足客户的多样化需求。对设计师来说,它无疑是值得信赖的选择,能够在各种挑战的应用场景中提供可靠的解决方案。