型号:

FQA40N25

品牌:ON(安森美)
封装:TO-3PN-3
批次:-
包装:管装
重量:6.833g
其他:
-
FQA40N25 产品实物图片
FQA40N25 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 280W 250V 40A 1个N沟道 TO-3P
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)70mΩ@10V,20A
功率(Pd)280W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)110nC@200V
输入电容(Ciss@Vds)4nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)90pF
工作温度-55℃~+150℃

FQA40N25 产品概述

一、产品简介

FQA40N25 是一种高性能的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),具有优异的电气特性和热性能。这款电子元器件由安森美 (ON Semiconductor) 生产,专用于高电压和大电流应用,广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效开关控制的电子设备中。其优越的技术特性使其成为现代电力电子设计中不可或缺的组件。

二、关键特性

  1. 高漏源电压(Vdss): FQA40N25 的漏源电压高达 250V,使其能够安全地处理较高电压的应用场景,适用于工业电源和高压电机控制系统。

  2. 高电流承载能力(Id): 此 MOSFET 在 25°C 的环境中,连续漏极电流可达到 40A,配合其良好的散热性能,适合需要高电流输出的设备,这为电源设计提供了足够的灵活性。

  3. 低导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下,FQA40N25 的最大导通电阻为 70 毫欧(@20A),这一低导通电阻能够有效降低能源损耗,提高系统整体效率,长期运行时可大幅度减小发热量。

  4. 宽工作温度范围: 该元器件支持-55°C 至 150°C 的工作温度范围,适用性极强,能够在严苛的环境条件下稳定工作,适应各种应用领域中的极热或极寒条件。

  5. 高功率耗散能力: FQA40N25 具备高达 280W 的功率耗散能力,使其能在高功率应用中正常运行而不易过热,从而提高系统的可靠性和耐用性。

  6. 快速开关特性: 该器件的栅极电荷(Qg)为 110nC,确保了快速的开关响应,能够有效降低开关损耗,适合高速开关电源和高频应用。

三、应用领域

FQA40N25 在多个领域中得到了广泛应用,主要包括:

  • 电源转换器:在高效 DC-DC 转换器、电源模块中,作为开关元件,提高转换效率,降低热量产生。
  • 电机驱动:用于电机控制电路,能够承受较大的电流,适合于工业自动化、家电电机控制等。
  • 逆变器:在太阳能逆变器和其他可再生能源应用中,实现对直流电源的高效转化。
  • 电池管理系统:在电池充放电管理中,通过高效的开关控制延长电池寿命,提高可靠性。

四、封装与安装

FQA40N25 采用 TO-3PN 封装,这种封装方式兼顾了体积与散热性能,通孔安装的设计有助于在PCB板上实现良好的机械连接和热管理,有效降低工作温度,提升整体性能。

五、总结

综合来看,FQA40N25 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET,具有高电压、高电流、低导通电阻的特点,适用于多种高效电源和开关控制应用。其可靠的工作性能与宽温度范围使其成为电力电子设计领域中的理想选择,为现代电子设备提供了强有力的支持。通过使用 FQA40N25,设计师能够在确保产品稳定性的同时,提高系统的效率,降低能耗,进而推动更环保的电气工程解决方案的实现。