描述：场效应管(MOSFET) 446W 600V 66A 1个N沟道 TO-247-3
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最小包：600
商品单价
梯度内地(含税)
1+
24.72
10+
22.07
600+
21.47
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)66A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V,33A
功率(Pd)446W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)121nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.508nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)2.8pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
产品概述：STW70N60DM2
STW70N60DM2是一款高性能的N通道MOSFET，适用于各种电力电子应用。此产品由知名半导体制造商意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有强大的电气特性和良好的热管理能力，适合高压、高电流的环境。
基本参数
最大漏源电压（Vdss）：600V
- STW70N60DM2能够承受高达600V的漏源电压，使其适用于高压电源和逆变器等应用。
连续漏极电流（Id）：66A（在温度控制条件下）
- 该器件能够承受高达66A的持续电流，满足高功率设备对大电流的要求。
功率耗散：446W（在温度控制条件下）
- 具备446W的最大功率耗散能力，表示其能够处理较大的能量而不会过热，增加了其在高负载条件下的可靠性。
导通电阻（Rds(on)）：最大42毫欧（在33A、10V下）
- 低导通电阻特性有助于降低开关损耗，提升效率。
输入电容（Ciss）：最大5508pF @ 100V
- 较大的输入电容值表明其在高频应用中是一个稳定的选择，能够有效地减小开关损耗。
栅极电荷（Qg）：最大121nC @ 10V
- 栅极电荷特性使得驱动电路设计更为简便，并允许快速切换。
阈值电压（Vgs(th)）：最大5V @ 250µA
- 该元件的阈值电压适中，在有效启用 MOSFET 时，有助于实现快速响应。
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 宽广的工作温度范围使得STW70N60DM2在严苛环境下仍能正常运行，适合广泛的工业、汽车和电力应用。
封装类型：TO-247-3
- TO-247-3封装设计提供了优良的散热性能，适用于PCB的通孔安装，兼容性强。
应用场景
STW70N60DM2的特性使其适用于多种场合，包括但不限于：
- 开关电源：由于其高效特性，能在高功率变换中降低损耗，提升系统效率。
- 电动汽车：适用于电动汽车的逆变器和电池管理系统，为电能转化提供保障。
- 工业伙伴的电机驱动：凭借其高电流承载能力，适合各种工业设备的驱动需求。
- 再生能源应用：如太阳能逆变器中，能够有效控制能量转化，提升工作效率。
结论
STW70N60DM2是一个功能强大、可靠性高的N通道MOSFET，非常适合用于高压、高电流及高效率要求的电子电路中。其宽广的工作温度范围和优良的电气特性使其成为现代电力电子和电机驱动系统的理想选择。无论是在工业应用、汽车设备，还是再生能源系统中，该器件都能展现出卓越的性能。