SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3 产品概述

产品名称： SI2308CDS-T1-GE3
品牌： VISHAY（威世）
类型： N 通道 MOSFET
封装： SOT-23-3（TO-236）

一、概述

SI2308CDS-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道场效应管（MOSFET），专为面向各种电子应用而设计。凭借其出色的电气性能和紧凑的封装，SI2308CDS-T1-GE3 非常适合用于自动化、开关电源、DC-DC 转换器、LED 驱动和其他需要高效率开关控制的应用场景。

二、主要规格

• 漏源电压（Vds）: 60V
• 连续漏极电流（Id）: 2.6A（在 25°C 环境下）
• 导通电阻（Rds(on）: 144 毫欧 @ 1.9A，10V（体现了其在一定电流条件下的低阻抗特性，有助于提高整体能效）
• 栅极阈值电压（Vgs(th）: 最高 3V @ 250µA（这一指标意味着在较低的栅极电压下便能使其导通，适合低电压驱动电路）
• 栅极电荷 (Qg): 4nC @ 10V（表示在 10V 时触发导通所需的栅极电荷量，低电荷意味着更快的开关速度）
• 输入电容 (Ciss): 105pF @ 30V（低输入电容有利于快速开关操作）
• 最高工作温度: -55°C ~ 150°C（确保在极端环境下的可靠操作）

三、应用领域

SI2308CDS-T1-GE3 的多种特性使其适合用于多个领域，包括但不限于：

• 电源管理：可用于开关电源和 DC-DC 转换器中，提供高效率的电源转换。
• LED 驱动：由于其快速开关的能力，适合用于高频率 LED 驱动电路。
• 电机控制：可用于小型电机驱动，确保电机在不同负载条件下平稳运行。
• 信号开关：可用于信号路径中的开关应用，提供低损耗和高线性性能。

四、封装与安装

该产品采用 SOT-23-3（TO-236）封装，这种表面贴装型封装不仅节省空间，还简化了自动化生产线上的焊接过程。紧凑的尺寸使得 SI2308CDS-T1-GE3 特别适合便携式电子设备，如智能手机和便携式电池管理系统。

五、性能优势

1. 高效能：相较于传统电子开关，SI2308CDS-T1-GE3 提供了显著的低导通电阻，减少了在开关状态下的功率损耗。
2. 高速开关：其低栅极电荷和低输入电容特性，表明其能在较高频率下迅速响应，使其在高频应用中表现更佳。
3. 宽工作温度范围：适配各种极端操作环境，能够保证设备的长期稳定性与可靠性。

六、总结

SI2308CDS-T1-GE3 是一款强大且高效的 N 通道 MOSFET，适用于各种电源管理和信号开关应用。凭借其出色的电气特性和可靠的工作性能，该产品为现代电子设计提供了理想的解决方案。无论是在高功率应用还是在对开关速度要求严格的场景，SI2308CDS-T1-GE3 都能为设计师们提供卓越的性能，引领电子技术的不断发展。