SIS468DN-T1-GE3 产品概述
产品名称: SIS468DN-T1-GE3
品牌: VISHAY（威世）
类型: N沟道MOSFET
封装: PowerPAK® 1212-8
一、基础参数
SIS468DN-T1-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高压和高电流应用设计，具有优秀的开关特性和低导通损耗。其最大漏源电压（Vdss）为80V，适用于要求电压高达80V的电路设计。同时，具备高达30A的连续漏极电流能力（Id @ 25°C），使其能够满足更大功率的工作需求。
二、电气特性
SIS468DN-T1-GE3在多个工作条件下表现出色，特别是以下几个关键参数：
- 导通电阻: 在10V的栅源电压下，以10A的漏极电流下，其漏源导通电阻（Rds(On)）仅为19.5mΩ，确保在高负载情况下的低功耗和高效率。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件具有3V的栅源阈值电压，适合多种驱动电压场合，尤其是低电压驱动应用。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V的栅源电压下，栅极电荷为28nC，表明在开关过程中能够快速充放电，提高开关频率，适合高频应用。
三、功耗与热管理
SIS468DN-T1-GE3的最大功率耗散为3.7W（在环境温度25°C时），而在结温（Tc）下可达到52W。这使得该MOSFET在特定散热条件下能够处理更高的功耗，适合高功率密度应用。同时，其广泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了该器件在极端环境下的可靠性。
四、应用场景
SIS468DN-T1-GE3适用于各种需要高开关效率的应用场合，包括但不限于：
- DC-DC转换器: 在高效率电源转换过程中，使用该MOSFET可显著降低能量损失。
- 电机驱动: 高电流承载能力使其适合用于电机控制和驱动电路。
- 开关电源: 在开关电源应用中，通过快速开关特性，实现更高的电源效率。
- 高性能电源管理系统: 适合用于移动设备、高性能计算机及其他要求高效率和高密度的应用。
五、安装与兼容性
SIS468DN-T1-GE3采用PowerPAK® 1212-8表面贴装封装，该封装在提供紧凑尺寸的同时，也确保良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其在现代电子设计中的兼容性使其可以与多种控制器和驱动电路协同工作，为工程师提供灵活的设计选项。
六、总结
作为VISHAY公司推出的高性能N沟道MOSFET，SIS468DN-T1-GE3凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围，成为多种高效能电子产品设计的理想选择。其低导通损耗、高的电流和电压能力，加上良好的热管理方案，使其在电力电子领域内表现熠熠生辉，为工程师和设计师提供了强大的支持。无论是在工业控制、通讯设备还是消费电子市场，SIS468DN-T1-GE3都能为产品的高效性和稳定性作出显著贡献。