型号:

DMP3013SFV-7

品牌:DIODES(美台)
封装:PowerDI3333-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.087g
其他:
DMP3013SFV-7 产品实物图片
DMP3013SFV-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 940mW 30V 12A;35A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存数量
库存:
3951
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.36
50+
1.05
2000+
0.965
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@4.5V,8.5A
功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)33.7nC
输入电容(Ciss@Vds)1.674nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)230pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMP3013SFV-7 产品概述

DMP3013SFV-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为低功耗应用设计,其关键特性包括较低的导通电阻、低门电压驱动要求和宽广的工作温度范围。该器件由 DIODES(美台)公司生产,采用 PowerDI3333-8 封装,适合在各种需要高效率的开关电源和负载驱动应用中使用。

关键参数

  • 漏源电压 (Vdss): DMP3013SFV-7 的最大漏源电压为 30V,这意味着它能在相对较高的电压下可靠工作,适用于多种电源管理场景。

  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下,该器件的连续漏极电流可达 12A,在更佳的散热条件下(Tc=特别条件),其额定电流可达到 35A。这使得 DMP3013SFV-7 能够处理高负载,适合用于电机驱动、电源转换等应用中。

  • 导通电阻 (Rds On): 在 11.5A 和 10V 条件下,漏源导通电阻仅有 9.5mΩ,显示出其卓越的导电特性。这种低导通电阻能够显著降低功率损耗,提高系统的能效。

  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 的栅源极阈值电压为 3V @ 250µA,适合使用较低的栅电压进行驱动,从而降低了驱动电路的复杂性和成本。

  • 工作温度范围: DMP3013SFV-7 的工作温度可在 -55°C 到 150°C 之间,这使其适合在严酷的环境条件下运行,如工业电源和汽车电子等应用场合。

结构与封装

DMP3013SFV-7 采用先进的 PowerDI3333-8 表面贴装型封装。该封装设计不仅节省了PCB空间,还具备优良的热管理能力,使得器件在高负载下保持较低的工作温度。此外,紧凑的封装设计也有利于提升设备的整体性能及可靠性。

应用场景

DMP3013SFV-7 广泛应用于各种电子设备和系统中,主要包括:

  1. 电源管理: 在 DC-DC 转换器中作为开关元件,提高转换效率。
  2. 电机驱动: 作为电机控制电路中的功率开关,适合于无刷直流电机(BLDC)驱动。
  3. 负载开关: 在各种负载切换场合下,快速准确地控制电源的连接和断开。
  4. 汽车电子: 在汽车电气系统中,支持高温和高功率的应用,保证车辆的稳定性和安全性。

结论

DMP3013SFV-7 是一款集高效能、低功耗与宽工作温度范围于一体的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和优异的封装设计,成为现代电子产品中不可或缺的组成部分。无论是在电源管理、电机驱动还是其他广泛的工业应用中,DMP3013SFV-7 都展现出卓越的性能和可靠性,是设计工程师值得信赖的选择。