型号:

2SCR523MT2L

品牌:ROHM(罗姆)
封装:VMT3(SOT-723)
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
2SCR523MT2L 产品实物图片
2SCR523MT2L 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 50V 100mA NPN SOT-723
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@1mA,6V
特征频率(fT)350MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2SCR523MT2L

一、产品基本信息

型号:2SCR523MT2L
类型:NPN晶体管
封装:SOT-723 (VMT3)
制造商:ROHM(罗姆)
最大集电极电流 (Ic):100mA
最大集射极击穿电压 (Vce):50V
功率最大值:150mW
频率 - 跃迁:350MHz
工作温度:150°C (TJ)
集电极截止电流 (ICBO):100nA
电流增益 (hFE):最小值 120 @ 1mA, 6V
饱和压降 (Vce (sat)):最大值 300mV @ 5mA, 50mA

二、产品特性

2SCR523MT2L是ROHM公司推出的一款高性能NPN晶体管,采用SOT-723表面贴装封装。该设计具备高频性能,高达350MHz的跃迁频率使其在高频电路中表现优越。该器件最大集电极电流达到100mA,适合驱动较小功率的负载。其最大集射极击穿电压为50V,确保其在多种应用环境中能保持稳定的工作状态。

晶体管的饱和压降表现也非常优秀,最大可能为300mV,这意味着在驱动较高电流时其功耗低,能够提高整体电路的能效。它的DC电流增益(hFE)在1mA和6V时的最小值为120,使得其在信号放大时具备出色的性能,能有效减少前级放大器对输入信号的影响。

该器件在高温操作环境下的能力也值得注意,其工作温度可达到150°C,适合应用于高温、高震动或者有限空间的设备中,显示出其可靠性和耐用性。

三、应用领域

2SCR523MT2L广泛应用于各类电子设备,尤其是需要高频操作和稳定工作的领域。具体应用包括但不限于:

  1. 射频放大器:得益于其高频特性,能够有效地处理RF信号。
  2. 开关电路:适用于快速开关应用,能够实现低功耗和高效的电流控制。
  3. 信号处理:在医疗电子、通信设备中,用于信号放大,同样适用于传感器信号处理。
  4. 功率管理:在电源转换和控制电路中,可以用于电流控制和电压调整。

在现代电子产品日益追求高效、高性能及小型化的背景下,2SCR523MT2L凭借其优良的参数表现和广泛的应用范围,成为了设计工程师的理想选择。

四、设计考虑

在设计阶段,工程师在使用2SCR523MT2L时应注意以下几点:

  • 选择合适的工作点:合理设置集电极电流(Ic)和基极电流(Ib),确保工作在最佳的线性区域。
  • 散热管理:尽管该器件最大功率为150mW,但在高电流、大温差的工作环境下仍应考虑散热设计,保证晶体管在安全温度范围内工作。
  • PCB设计:由于该产品为表面贴装,需确保PCB的设计符合SOT-723封装规格,包括焊盘布局、走线宽度等,以促进良好的电气连接和热管理。

总之,2SCR523MT2L凭借其优良的规格及广泛的应用适应性,成为了现代电子设备设计中不可或缺的重要元件。无论是高频信号放大、开关驱动,还是电源管理,这款晶体管都能提供优质的性能,确保设计的高效与可靠。