型号:

EMD22T2R

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT6
批次:2年内
包装:编带
重量:0.027g
其他:
EMD22T2R 产品实物图片
EMD22T2R 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-563
库存数量
库存:
1886
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.198
8000+
0.18
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.3V@5mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)100mV@5mA,0.25mA
输入电阻4.7kΩ
电阻比率10
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:EMD22T2R 数字晶体管

一、产品简介

EMD22T2R 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的高性能数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,适用于各种数字电路的开关和放大应用。该器件集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,适合于双极性应用,其设计能够带来出色的电流驱动能力和高效的热管理性能。作为一款预偏置型数字晶体管,EMD22T2R 能够简化电路设计并提高其功率效率。

二、技术参数

  • 类型:双极型晶体管(1 个 NPN 和 1 个 PNP)
  • 安装类型:表面贴装型(SOT-563)
  • 最大集电极电流 (Ic):100 mA
  • 集电极截止电流 (Ic) 最大值:500 nA
  • 集射极击穿电压 (Vceo) 最大值:50 V
  • Vce 饱和压降(最大值):300 mV(在电流 250 µA 和 2.5 mA 时)
  • 基极电阻器 (R1):4.7 kΩ
  • 发射极电阻器 (R2):47 kΩ
  • 跃迁频率:250 MHz
  • 最大功率:150 mW
  • DC 电流增益 (hFE) 最小值:80(在 10 mA,5 V 时)

EMD22T2R 展现出优良的频率特性和高电流增益,适合应用于高频数字信号处理和开关电源等电路中。

三、应用场景

EMD22T2R 广泛应用于以下领域:

  1. 数字电路:由于其预偏置设计,该元件可以有效降低设计复杂性,适用于各种数字逻辑电路和用于开关控制的应用场合。

  2. 信号放大:它可以作为信号放大器,在较低频率下实现高增益,适用于音频放大和信号处理线路。

  3. 开关电源:其较高的集电极电流和耐受电压能力,使其适合用于开关电源和电源管理集成电路。

  4. 继电器驱动:该器件还可以用于驱动继电器和其他负载开关,能够自主控制高电流负载。

  5. 电机控制:EMD22T2R 的功率规格使其能驱动小型电机或直流电动机,应用于电动工具和便携式设备。

四、产品优势

  1. 高可靠性和稳定性:EMD22T2R 在多个热和电流条件下能保持稳定性,确保产品在恶劣环境下的可靠性。

  2. 简化设计:预偏置结构简化了驱动电路设计,节省了元件数量和PCB布线空间。

  3. 高效率:得益于低饱和压降,能够实现高效能的电流开关,降低了能量损耗并提高了系统效率。

  4. 小型化:SOT-563 封装使得该元件在空间受限的应用中表现优越,适合用于紧凑设计的设备中。

  5. 适应性强:广泛的应用场景以及优良的性能特征使其在消费电子、工业控制和通信设备中都能胜任任务。

五、总结

EMD22T2R 是一种性能卓越的数字晶体管,结合了 ROHM 的先进制造工艺和丰富的应用经验,能够满足现代电子设备对高效、高性能器件的需求。其 NPN 和 PNP 双面设计为电路设计师提供了极大的灵活性,同时在不同工作条件下保持良好的电性能和热稳定性。无论是在数字逻辑,信号放大还是动力控制的应用中,EMD22T2R 都是一个理想的选择。