型号:

DDTD123YC-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:24+
包装:编带
重量:0.032g
其他:
DDTD123YC-7-F 产品实物图片
DDTD123YC-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存数量
库存:
4543
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.153
3000+
0.134
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)40V
集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)56@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)300mV
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@50mA,2.5mA
工作温度-55℃~+150℃

DDTD123YC-7-F 产品概述

产品简介

DTD123YC-7-F 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能数字晶体管。作为一款NPN预偏置晶体管,DTD123YC-7-F 采用SOT-23封装,是一种非常适合在高频及高效能电路中使用的元器件。该晶体管典型的应用场景包括开关电源、电机驱动、信号放大以及各种数字电路中,因其较高的频率特性和优良的电流增益性能,能够有效满足现代电子设备对小体积和高效率的需求。

基础参数

DTD123YC-7-F 的关键参数包括:

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 集射极最大击穿电压 (Vce): 50V
  • 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 10 kΩ
  • DC电流增益(hFE): 在Ic为50mA、Vce为5V时,最小值为56
  • Vce饱和压降 (Vce(sat)): 在Ib为2.5mA、Ic为50mA时,最大值为300mV
  • 集电极截止电流 (Ic(sus)): 最大值为500nA
  • 跃迁频率 (fT): 200MHz
  • 最大功耗: 200mW
  • 封装类型: SOT-23

这些参数在特定电路环境中提供可靠的性能,确保电路运行稳定。

设计优势

DTD123YC-7-F 的设计充分考虑了现代电子设备的要求,其高频响应特性(fT高达200MHz)使得该元件特别适合用于高频开关应用。同时,其出色的电流增益和低饱和压降确保设备在较低的能耗情况下实现更高的输出电流,这 高效利用电源,延长电池寿命。

NPN类型的设计使得它在信号放大和开关应用中表现出色。通过合理选用基极电流(Ib),用户能够灵活调整集电极电流(Ic),这对于数字电路设计尤为重要。此外,其极小的集电极截止电流(最大500nA)也为低功耗应用提供了便利。

应用领域

DTD123YC-7-F广泛应用于各种电子设备,包括但不限于:

  • 开关电源供应: 在电源供应电路中作为开关器件,能够实现高效率转换。
  • 射频应用: 由于其高跃迁频率特性,适合用作射频放大器,对信号处理提供支持。
  • 声音放大: 在音频设备中,作为信号放大器,提高声音清晰度。
  • 电机驱动电路: 用于较小型电机控制,尤其在需要高效能和小体积的场合。
  • 数字电路: 作为逻辑开关和放大器应用于各种数字电路设计中。

此外,其SOT-23封装确保其小型化程度,使得在PCB设计中有更加灵活的布线和布局空间,更适合现代设备对空间的苛刻要求。

结论

总的来说,DTD123YC-7-F是一款性能优越的数字晶体管,凭借其优秀的电流增益、高频特性及低功耗表现,能在多种应用中发挥重要作用。无论是在新产品开发还是在现有产品的改进中,它都能提供显著提升,为电子设计师和工程师提供了极大的便利,助力于高性能电子设备的实现。同时,来自DIODES的质量保证和技术支持,为用户在设计和生产中提供了更大的信心。选择DTD123YC-7-F,便是选择了一种高效率、高可靠性的解决方案。