型号:

IRF9640SPBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-263-3
批次:-
包装:管装
重量:2.258g
其他:
IRF9640SPBF 产品实物图片
IRF9640SPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 3W;125W 200V 11A 1个P沟道 TO-263-2
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)500mΩ@10V,6.6A
功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)44nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.2nF
反向传输电容(Crss@Vds)81pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:IRF9640SPBF

一、简介

IRF9640SPBF 是由威世 (VISHAY) 提供的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),该器件专为高压应用设计,具有优秀的电气性能和可靠性,广泛应用于开关电源、电机驱动、电源管理及高效能的负载开关等场合。

二、基础参数

  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 导通电阻(最大值):500 毫欧 @ 6.6A,10V
  • 栅极阈值电压(Vgs(th) - 最大值):4V @ 250µA
  • 栅极电荷(Qg - 最大值):44nC @ 10V
  • 最大栅源电压(Vgs):±20V
  • 输入电容(Ciss - 最大值):1200pF @ 25V
  • 功率耗散
    • 最大功率(Ta):3W
    • 最大功率(Tc):125W
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装类型:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

三、主要特性

  1. 高电压和电流处理能力:IRF9640SPBF 具有200V的漏源电压能力和11A的连续漏极电流能力,使其能够应对多种苛刻的高压和高电流应用场景。

  2. 低导通电阻:其最大导通电阻为500毫欧,尤其适合开关应用,因为这能有效降低开关损耗,提升整体效率。

  3. 宽工作温度范围:工作温度范围从-55°C到150°C,确保在极端环境下的稳定性和可靠性,适合汽车、工业等领域的应用。

  4. 高栅极电荷:具有44nC的栅极电荷,适合快速开关,即使在较高频率的操作下也能保持稳定的性能。

  5. 表面贴装封装:采用TO-263-3、D²Pak等封装形式便于自动贴装,减小了PCB占用面积,提高了器件的集成度和装配效率。

四、应用领域

IRF9640SPBF 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 开关电源:由于其高电压和高电流的处理能力,适合用于开关电源中的低侧和高侧开关。

  • 电机驱动:可被用于直流电机和步进电机的驱动电路,确保良好的电流控制和高效能运作。

  • 电源管理:作为电源管理电路中的负载开关,为系统提供精确的电源分配。

  • 功率放大器:在高功率放大应用中,可以有效地控制功率流向,增加整体的效率与响应速度。

五、结论

总体而言,IRF9640SPBF 是一款极具优势的 P 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能、耐高温和高工作电流能力,广泛应用于各类高频开关电源、电机控制以及功率管理系统中。其优良的导通特性和稳定的工作表现,使其成为工程师在设计中值得信赖的选择。威世作为其生产厂家,凭借其卓越的半导体技术,确保了产品的高质量与高可靠性,适合要求苛刻的现代电子应用。