型号:

ZXMC4559DN8TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
ZXMC4559DN8TA 产品实物图片
ZXMC4559DN8TA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 60V 3.6A;2.6A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
库存数量
库存:
409
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.62
500+
2.43
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.6A;2.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5A,10V
功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.063nF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

ZXMC4559DN8TA 产品概述

一、产品简介

ZXMC4559DN8TA是一款高性能的场效应管(MOSFET),其结构为一个N沟道和一个P沟道的组合,根据先进的半导体制造技术设计而成。该产品专为高效率、低功耗应用而优化,具备显著的导通电阻和开关性能,适用于各种电子电路中,尤其是用于功率管理和信号处理等领域。

二、主要特点

  1. 表面贴装型封装: ZXMC4559DN8TA采用SO-8封装,具有较小的占用空间,方便在紧凑型电子设备中的应用。表面贴装技术(SMT)使得安装和焊接过程更加简单高效。

  2. 高电流处理能力: 该MOSFET在不同工作条件下能够承受最大漏极电流(Id)为3.6A(在特定条件下可达2.6A),具备优秀的电流处理能力,适合电源稳压、马达控制等应用。

  3. 优越的导通电阻: 在4.5A与10V条件下,ZXMC4559DN8TA展示出最大导通电阻为55毫欧(@25°C),这使得该器件在运行时产生的功率损耗极低,从而提高整体系统的效率。

  4. 宽工作温度范围: 此器件具有-55°C至150°C的工作温度范围,能够适应各种恶劣环境,保证长期稳定性,广泛适应于工业、消费电子和汽车电子等应用领域。

  5. 逻辑电平门特性: ZXMC4559DN8TA的功能设计为逻辑电平门,使得其可以直接与低电压逻辑电路兼容,降低了外围驱动电路的复杂性,简化了设计工作。

  6. 低输入电容: 在30V下,输入电容(Ciss)最大值为1063pF,这意味着该MOSFET能够快速响应信号变化,适合高速开/关切换应用,增强了电路的动态性能。

  7. 高栅极电荷: 该型号的栅极电荷(Qg)最大值为20.4nC(@10V),表明其在开关操作中对栅极驱动的需求较低,有助于降低控制电路的功耗和复杂性。

三、应用领域

ZXMC4559DN8TA由于其高效率和广泛的操作条件,适用于多个行业的多种应用:

  • 电源管理:用于DC/DC变换器、LED驱动器和电源开关等。
  • 电动驱动:如马达驱动、伺服系统及其控制电路。
  • 消费电子:例如手机充电器、便携式设备等。
  • 汽车电子:如电池管理系统和车载电源转换器等。

四、总结

ZXMC4559DN8TA是一款集成了优良特性和高性能的场效应管。在当今对能效和系统小型化要求日益升高的背景下,该器件提供了可靠的解决方案。其强大的电流承载能力、低导通电阻、宽工作温度范围以及良好的逻辑兼容性,使得ZXMC4559DN8TA成为各类电子设备电源和信号控制的理想选择。无论是在设计新产品还是在现有系统中进行改造,ZXMC4559DN8TA凭借其出色的性能都将为工程师提供价值,帮助实现高效能与稳定性的完美平衡。