型号:

MMBT3904FA-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:X2DFN08063
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
MMBT3904FA-7B 产品实物图片
MMBT3904FA-7B 一小时发货
描述:三极管(BJT) 435mW 40V 200mA NPN DFN-3L(0.6x0.8)
库存数量
库存:
11235
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.945
100+
0.651
500+
0.592
2500+
0.548
5000+
0.512
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)435mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1.0V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBT3904FA-7B 产品概述

一、产品背景

MMBT3904FA-7B 是一款高性能的 NPN 型三极管(BJT),由著名电子元器件供应商 DIODES 生产。此款三极管在多个领域得到了广泛应用,凭借其优越的电气特性和小型化的封装,成为了现代电子电路设计中常用的基础元件之一。

二、主要参数

  • 额定功率:435mW
  • 集电极电流 (Ic):最大 200mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大 40V
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降:最大 300mV @ 5mA,50mA
  • 直流电流增益 (hFE):最小 100 @ 10mA,1V
  • 工作频率:高达 300MHz
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 封装尺寸:3-XFDFN,具体为 X2-DFN0806-3 (0.6mm x 0.8mm)

三、产品特点

  1. 高频特性:MMBT3904FA-7B 的跃迁频率可高达 300MHz,使其能够处理快速脉冲信号,适合用于高频开关电路和射频应用。

  2. 低饱和压降:在一定的电流(如 5mA 和 50mA)下,Vce 饱和压降仅为 300mV,这意味着在导通状态下,器件能够有效地减少功耗,提高电源效率,适用于低功耗设计。

  3. 高电流增益:该三极管的直流电流增益 (hFE) 在 10mA 电流下的最小值为 100,这提供了良好的放大能力,适合用作信号放大器,能扩展系统的信号范围。

  4. 宽工作温度范围:该元件能够在 -55°C 到 150°C 的环境下正常工作,适用于各种严酷的工作条件,特别适合工业、汽车及航空领域的应用。

  5. 紧凑的封装设计:X2-DFN0806-3 封装的表面贴装设计,使得 MMBT3904FA-7B 可以在有限的空间内实现高密度布线,是小型化电子设备的理想选择。

四、应用领域

MMBT3904FA-7B 适用于多个电子电路设计和应用场合:

  • 信号放大器:在音频放大、电信设备以及基础信号处理电路中,提供必要的放大性能。
  • 开关电路:可用作各种开关控制电路,提高电能使用效率,广泛应用于电源管理和电机驱动。
  • 射频应用:凭借其高频特性,该三极管适合用于射频传输及信号调制解调,满足无线通信需求。
  • 线性稳压:在DC-DC转换器和线性稳压电路中,也可利用其特性进行电压调节。
  • 传感器驱动:可在环境监测、工业控制等领域,用于驱动各种传感器元件。

五、总结

总体而言,MMBT3904FA-7B 是一款性能稳健的 NPN 三极管,具备高电流增益、低饱和压降以及宽工作温度范围,适合于多个应用领域。不论是在高频信号处理、开关电路还是精密的模拟信号放大中,该三极管均能为设计师提供可靠的解决方案,是电子工程师常用的优质元器件之一。随着电子行业的不断发展,MMBT3904FA-7B 的市场需求仍将持续增长,为您的设计提供强大的支持。