型号:

2DD1664R-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT89
批次:22+
包装:编带
重量:0.084g
其他:
2DD1664R-13 产品实物图片
2DD1664R-13 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 32V 1A NPN SOT-89-3
库存数量
库存:
2303
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.436
2500+
0.4
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)32V
功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)180@500mA,3V
特征频率(fT)280MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2DD1664R-13

一、产品概述

2DD1664R-13是一款高性能的NPN型三极管,专为满足现代电子产品的功率和频率要求而设计。该器件具备出色的电气性能和热管理能力,非常适合在严苛的工作环境中运行。它以TO-243AA封装(即SOT-89-3)形式提供,便于表面贴装,广泛应用于消费电子、汽车电子以及工业控制等领域。

二、关键规格

  1. 额定功率和电流
    2DD1664R-13的额定功率为1W,最大集电极电流(Ic)为1A,这使得它能够处理较高电流负载,适用于许多中等功率的应用场景。

  2. 电压特性
    该器件的集射极击穿电压Vce的最大值为32V,确保在大多数电路条件下稳定可靠的工作,能够很好地保护下游电路不受高压损害。

  3. 饱和压降及增益
    在不同的集电极电流Ic(例如50mA和500mA)下,Vce饱和压降的最大值为400mV至500mV。这使得2DD1664R-13在开关操作中具备较高的效率,降低了功耗。此外,在Ic为100mA,Vce为3V时,DC电流增益(hFE)达到最小值180,展示出优秀的放大特性。

  4. 极高的频率响应
    该三极管的频率跃迁可达到280MHz,说明它在高速信号处理方面表现良好,适合应用于高频开关电源和射频放大器等电路。

  5. 工作温度范围
    其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于极端气候条件下的电子设备,提供更为可靠的性能和稳定性。

三、应用领域

2DD1664R-13可以广泛应用于多种场景,主要包括:

  1. 信号放大
    由于其良好的增益特性,该三极管被广泛应用于音频和视频信号的放大,确保信号在传输过程中保持高质量。

  2. 开关应用
    在电源管理和电气开关电路中,2DD1664R-13表现出色。其低饱和压降意味着在开关状态下功率损耗较小,提升了能效。

  3. 射频电路
    由于其高频响应能力,该器件适合用于射频放大器,使其在无线通信领域的应用愈加广泛。

  4. 消费电子
    许多现代消费电子产品,如手机、平板电脑、家用电器等,都可以利用2DD1664R-13作为关键的信号处理元件。

四、热管理与封装

2DD1664R-13采用SOT-89表面贴装封装,具有良好的热管理特性,能够有效地散发热量,降低器件的工作温度,延长其使用寿命。此外,其小巧的封装设计使得在空间有限的电路板上能够轻松集成。

五、总结

作为一款高效能的NPN三极管,2DD1664R-13凭借其宽广的电气参数和优越的性能,成为现代电子产品中不可或缺的核心元器件之一。无论是在信号放大、开关控制,还是在高速通信和消费电子中,它都展现了卓越的应用前景,具备良好的市场竞争力。选择2DD1664R-13,可以为设计带来更高的可靠性和性能,为电子设备的未来发展提供强有力的支持。