SH8K41GZETB

SH8K41GZETB 产品概述

产品名称： SH8K41GZETB
品牌： ROHM（罗姆）
封装： SOP-8
类型： N-通道双MOSFET

一、基本特性

SH8K41GZETB 是 ROHM 公司推出的一款高性能 N-通道 MOSFET，应用于各种需要高效电源管理和高开关速度的电子设备。其主要参数包括能够在 80V 的漏源电压（Vdss）下实现连续漏极电流（Id）高达 3.4A，且最大功耗为 1.4W。该器件在 150°C 的工作温度下运行，显示出优秀的热稳定性和耐久性。

二、性能参数

1. 导通电阻：

   • 该 MOSFET 在不同的 Id 和 Vgs 条件下，其最大导通电阻为 130 毫欧，随着电流流动和栅极电压的变化，其性能表现优良，这使其在快速开关和高效功率转换中成为理想选择。

2. 栅极电荷和输入电容：

   • 在 5V 的栅极驱动电压下，栅极电荷（Qg）最大为 6.6nC，为高频开关应用提供了更快的响应时间。其输入电容（Ciss）在 10V 时最大可达 600pF，进一步保证了器件在高频操作时的稳定性和有效性。

3. 温度特性：

   • 该 MOSFET 设计可在高达 150°C 的工作环境中稳定运行，适合于各种工业和消费类电子产品，即使在严苛的工作条件下也能保持可靠性。

4. 逻辑电平门：

   • SH8K41GZETB 被设计为逻辑电平门，最低栅极阈值电压（Vgs(th)）为 2.5V @ 1mA，确保它能够与微控制器和逻辑电路兼容。这种特性使其在低电平驱动的应用中表现出色，极大方便了与其他元件的协同使用。

三、应用领域

SH8K41GZETB 由于其杰出的电气特性和热稳定性，被广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器和线性稳压器中用作开关元件，实现高效的能量转换和分配。
• 电机驱动：可用于控制电机的启动、停止和速度调节。
• 消费电子：在手机、平板电脑和其他便携式设备的电池管理系统中，可帮助实现更高效的电源利用。
• 家电控制：在现代家庭电器中（如空调、冰箱等）中实现高效控制。

四、总结

综上所述，SH8K41GZETB 是一款综合性能优越的 N-通道双MOSFET。其高导通能力、低导通电阻、宽广的工作温度范围以及与逻辑电平直接兼容的特点，使其能够满足现代电子设备对高效能、低功耗和可靠性的苛刻要求。随着科技的不断进步，该产品将可能在更多应用场景中展现出它的优越性，为电子产品的性能提升及能耗降低贡献力量。选择 SH8K41GZETB，意味着为您的设计方案增添了一份可靠和高效的保障。