SI7414DN-T1-E3

产品概述：SI7414DN-T1-E3

1. 概述：

SI7414DN-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的 N 通道 MOSFET，采用表面贴装型封装（PowerPAK® 1212-8），是一款高性能的电子开关器件，广泛应用于多个领域。此型号以其优越的电气特性和可靠性，成为各类电子产品设计中的理想选择，尤其适合于高效电源管理、低电压驱动电路和功率转换系统。

2. 主要规格：

• FET 类型： N 通道 MOSFET
• 漏源电压（Vdss）： 60V，允许在较高电压下稳定运行
• 25°C 时的连续漏极电流（Id）： 5.6A，适用于高电流应用
• 驱动电压： 4.5V 和 10V，支持多种驱动方式
• 导通电阻（Rds On）： 最大值 25 毫欧 @ 8.7A，10V，保证低损耗和高效能
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 最大值 3V @ 250µA，适用广泛的控制电路
• 栅极电荷（Qg）： 最大值 25nC @ 10V，降低开关损耗，提高开关速度
• 最大栅源电压（Vgs）： ±20V，提升抗干扰能力
• 功率耗散（最大值）： 1.5W，保证在高功率环境下的安全运行
• 工作温度范围： -55°C 到 150°C，适用于恶劣环境
• 封装类型： PowerPAK® 1212-8，提供更优越的散热性能和空间占用优势

3. 应用场景：

SI7414DN-T1-E3 MOSFET 的高性能使其在以下应用中表现优异：

• 电源管理：广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器和电池管理系统中。
• 电机驱动：适用于各类电机驱动电路，提高电机的效率和控制精度。
• 开关电源：在开关电源应用中，帮助提升系统的能效并降低热量生成。
• 电子控制单元：在汽车电子和工业控制中，提供高效可靠的开关控制功能。

4. 设计优势：

• 高效能：该 MOSFET 的低 Rds On 特性能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。
• 宽阈值电压：适应多种驱动电压（4.5V 和 10V），灵活满足不同设计需求。
• 优良的热管理：PowerPAK® 封装不仅提供良好的散热性能，还确保了较小的占用面积，适合高密度集成设计。
• 抗环境能力强：在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定运行，确保了在极端温度条件下的可靠性。

5. 结论：

SI7414DN-T1-E3 MOSFET 是设计者在追求高效率、高可靠性的电子应用中不可或缺的组件。它的优越性能和可靠性使其能够在广泛的电气环境中表现出色，为各种工业及消费类产品提供了强大的支持。凭借 VISHAY 的品牌信任和技术积累，该器件持续受到全球市场的青睐，并成为实现现代电子器件设计的关键要素。