IRFP264PBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。它在功率管理、开关电源、以及高能效电路设计中具有广泛的应用。IRFP264PBF 采用了 TO-247-3 封装,具有优良的散热性能,能够应对高功率和高电流的应用需求。
IRFP264PBF 采用金属氧化物半导体技术,具有优越的开关特性和高效能,能够在高频情况下一直保持稳定的性能。它的漏源电压为 250V,通常适用于需要高耐压的电路。在连续漏极电流方面,该器件可以在 25°C 的条件下稳定通过 38A,使其非常适合用于高负载应用。
该 MOSFET 设计具有较低的栅极电荷(Qg 最大值为 210nC @ 10V),这使得其适合应用于高频开关电源和脉冲应用中。其栅源极阈值电压为 4V,意味着在较低的控制电压下,即可实现快速开启与关闭,大大提升了电路的响应速度。
IRFP264PBF 的导通电阻非常低(75mΩ),在启用时相对减少了功率损耗,提升了整体效率。此外,其在不同漏极电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 下的导通电阻特性,使得它在多种工作条件下表现一致。对于使用高能效电源的设计师而言,这也为热管理带来了优势。
IRFP264PBF 非常适合在以下几个领域使用:
IRFP264PBF 采用 TO-247-3 封装,设计允许简单的通孔焊接。它的封装能够有效散热,适合高功率环境。这种封装形式使得 MOSFET 可以通过适当的散热器进一步提升其散热能力,推动其在高温环境下的稳定工作。
总之,IRFP264PBF 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高电压、高电流的应用场景。其优越的导通特性、低电阻和宽工作温度范围,使其在电力电子设计中成为优秀的选择。无论是在开关电源、功率放大还是电机驱动领域,IRFP264PBF 都展现出卓越的性能与应用潜力。