型号:

IRFP264PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-247-3
批次:-
包装:管装
重量:6.12g
其他:
IRFP264PBF 产品实物图片
IRFP264PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 280W 250V 38A 1个N沟道 TO-247AC-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)75mΩ@10V,23A
功率(Pd)280W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)210nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.4nF
反向传输电容(Crss@Vds)150pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRFP264PBF 产品概述

概述

IRFP264PBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。它在功率管理、开关电源、以及高能效电路设计中具有广泛的应用。IRFP264PBF 采用了 TO-247-3 封装,具有优良的散热性能,能够应对高功率和高电流的应用需求。

关键参数

  • 漏源电压(Vdss):250V
  • 连续漏极电流(Id):38A(在 Tc=25°C 时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):4V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):75mΩ @ 23A, 10V
  • 最大功率耗散:280W(在 Tc=25°C 时)
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)

材料技术

IRFP264PBF 采用金属氧化物半导体技术,具有优越的开关特性和高效能,能够在高频情况下一直保持稳定的性能。它的漏源电压为 250V,通常适用于需要高耐压的电路。在连续漏极电流方面,该器件可以在 25°C 的条件下稳定通过 38A,使其非常适合用于高负载应用。

驱动与控制

该 MOSFET 设计具有较低的栅极电荷(Qg 最大值为 210nC @ 10V),这使得其适合应用于高频开关电源和脉冲应用中。其栅源极阈值电压为 4V,意味着在较低的控制电压下,即可实现快速开启与关闭,大大提升了电路的响应速度。

导通特性

IRFP264PBF 的导通电阻非常低(75mΩ),在启用时相对减少了功率损耗,提升了整体效率。此外,其在不同漏极电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 下的导通电阻特性,使得它在多种工作条件下表现一致。对于使用高能效电源的设计师而言,这也为热管理带来了优势。

应用场景

IRFP264PBF 非常适合在以下几个领域使用:

  1. 电源转换器:如开关电源、DC-DC 转换器等,特别是在需要高转换效率的应用中。
  2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)的驱动和控制,能够承载高电流。
  3. 功率放大器:在高功率音频放大器中使用,提供清晰的输出信号。
  4. 逆变器:在光伏逆变器和电动车辆的逆变器中,处理电池直流电源到交流电源的转换过程。

封装与安装

IRFP264PBF 采用 TO-247-3 封装,设计允许简单的通孔焊接。它的封装能够有效散热,适合高功率环境。这种封装形式使得 MOSFET 可以通过适当的散热器进一步提升其散热能力,推动其在高温环境下的稳定工作。

结论

总之,IRFP264PBF 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高电压、高电流的应用场景。其优越的导通特性、低电阻和宽工作温度范围,使其在电力电子设计中成为优秀的选择。无论是在开关电源、功率放大还是电机驱动领域,IRFP264PBF 都展现出卓越的性能与应用潜力。